中研颗精密机�?苏州)与您相约安徽合肥�?026第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会

当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能�?G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我� “十四五� 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题�?#8203;

为加快推动我� SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 � 5 � 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导� SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇、�/strong>

在此背景下，先进半导体晶体材料将亍�span style="color: rgb(255, 0, 0);">2026�?�?8�?/span>�?span style="color: rgb(255, 0, 0);">安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。中研颗精密机械(苏州)有限公司作为参展单位邀请您共同出席、�/strong>

公司专注于陶瓷对辊机的设计开发与生产制造，并且自有进口精密加工设备，提� μm级的陶瓷精加工、�/strong>

涉及锂电新能源、医疗、光电、半导体、陶瓷、电子等行业、�/strong>

我司开发制造的对辊机不仅解决了大块板结物料（L*W : 300*300mm）的粉碎，并且可一次性粉碎超硬材料至目标值（如多晶陶瓷块、硅碳负极等），同时对于高纯物料的粉碎具有丰富的经验、�/strong>

我司生产加工的精密陶瓷产品，不仅品质突出、性能稳定，而且平面度、同轴度、真圆度与垂直度均可以达�?μm 以下的精度，尤其在国外某些垄断领域形成了批量生产能力、�/strong>

目前除国内客户外，也服务于日本、欧洲与美洲的客户，致力于成为业内技术领军的小而精企业、�/strong>

产品介绍

1�?span style="font-family: 微软雅黑; font-size: medium; white-space-collapse: preserve; background-color: rgb(246, 246, 246);">对辊朹�/span>

核心参数

粉碎程度：粗粉碎

单位能耗：3

产量：＞1t/h

装机功率（kw）：2

成品细度�?00�?/p>

入料粒度（mm）：300*300

工作原理：辊压碾�?/p>

会议主题９�/strong>

1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望

2、大尺寸�? 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径

3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺

4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展

5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创�?#8203;

6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能

7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对�?#8203;

8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控刵�/strong>

9、高平整� SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升

10�? 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型

11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应�?#8203;

12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控�?#8203;

13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标

14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析

15、立� SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控

16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技�?#8203;

17、SiC 晶体生长 “黑匣子� 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开�?#8203;

18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模弎�/strong>

报名送产业研究报告（限前50名）

会务练�/strong>

联系人：段经琅�/strong>

电话�?3810445572

邮箱：duanwanwan@cnpowder.com

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