上海昊量光电与您相约安徽合肥�?026第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会

当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能�?G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我� “十四五� 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题�?#8203;

为加快推动我� SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 � 5 � 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导� SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇、�/strong>

在此背景下，先进半导体晶体材料将亍�span style="color: rgb(255, 0, 0);">2026�?�?8�?/span>�?span style="color: rgb(255, 0, 0);">安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。上海昊量光电设备有限公司作为参展单位邀请您共同出席、�/strong>

上海昊量光电设备有限公司是目前国内知名光电产品专业代理商，也是近年来发展迅速的光电产品代理企业。除了拥有一批专业技术销售工程师之外，还有拥有一支强大技术支持队伍。我们的技术支持团队可以为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等工作。为客户提供适合的产品和提供完善的服务是我们始终秉承的理念！

�?008年成立以来，昊量光电专注于光电领域的技术服务与产品经销，致力于引进国外先进性与创新性的光电技术与可靠产品，为国内前沿的科研与工业领域提供优质的产品与服务，助力中国智造与中国创�?

目前，昊量光电已经与来自美国、欧洲、日本的多家知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。其代理品牌均处于相关领域的发展前沿，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究与国防等。近年来，我们也专注于前沿的细分市场，为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先进激光制造等领域的客户提供系统解决方案、�/strong>

秉承诚信、高效、创新、共赢的核心价值观，昊量光电坚持以诚信为基石，凭借高效的运营机制和勇于创新的探索精神为我们的客户与与合作伙伴不断创造价值，实现各方共赢�?/strong>

立足于光电产业，昊量光电始终坚持价值创造与创新，赢得客户与合作伙伴的认可，不断拓展业务领域的新边疆，立志打造国际一流的代理服务品牌�?/strong>

产品介绍

780nm�?.5W 光纤飞秒激光器

Carmel X780系列高功率、风冷光纤飞秒激光器� 输出功率0.25�?.0�?.5W可选，脉冲宽度小于90 fs，可内置功率调制模块，实现光功率�?-100%调节＋�/p>

负色散补偿高�?62000fs2，封装小巧且用户友好，一键式操作，分离式设计。主要应用包括生物成像，多光子显微，光学计量，三维微印，太赫兹成像和眼科、�/p>

对于多光子显微应用，Carmel为细胞组织成像提供了一个理想的超快激光解决方案，它有很小的散射和光损伤风险。紧凑的激光头可以通过很少的传输光学器仵�/p>

直接被集成到现有的显微镜中、�/p>

主要特点９�/strong>

窄脉宽：<90fs

负色散补偿值：高达~-62000fs2

杰出光学质量：M2<1.1

可内置功率调制模块：0-100%功率调节

超紧凑激光头设计

操作简单，电脑控制

远程诊断，专业技术支�?/p>

主要应用９�/strong>

多光子显微成僎�/p>

光学计量

材料表征

非线性光�?/p>

主要参数９�/strong>

中心波长（nm（�/p>	780 ± 3
脉冲宽度（fs（�/p>	< 90
预色散补偿（fs2（�/p>	~ -62,000（高达）
平均功率（W（�/p>	0.25	1.0	1.5
重复频率（MHz（�/p>	50 or 80	80	80
单脉冲能量（nJ（�/p>	> 5 or 3	> 12.5	> 18.7
光谱带宽（FWHM, nm（�/p>	8 - 10
功率稳定性（%rms, 8小时（�/p>	< 1.0
光束质量（M2（�/p>	< 1.1
光束圆度�?（�/p>	>90
偏振消光毓�/mark>（dB（�/p>	>20
光斑直径@输出口处（mm（�/p>	1.25
输出方式	自由空间光准直输凹�/p>

光学表征９�/strong>

会议主题９�/strong>

1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望

2、大尺寸�? 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径

3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺

4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展

5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创�?#8203;

6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能

7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对�?#8203;

8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控刵�/strong>

9、高平整� SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升

10�? 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型

11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应�?#8203;

12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控�?#8203;

13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标

14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析

15、立� SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控

16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技�?#8203;

17、SiC 晶体生长 “黑匣子� 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开�?#8203;

18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模弎�/strong>

报名送产业研究报告（限前50名）

会务练�/strong>

联系人：段经琅�/strong>

电话�?3810445572

邮箱：duanwanwan@cnpowder.com

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