随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。当前，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。
近年来，我国在SiC材料领域取得了显著进展，但与国际先进水平相比，在晶体生长技术、晶圆加工技术等方面仍存在一定差距。SiC晶体生长过程中面临着晶体缺陷控制、生长速率提升、晶体质量稳定性等难题；晶圆加工方面，则存在加工精度不足、良品率低、加工成本较高等挑战。在当前倡导节能减排的大趋势下，快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题，才能够更好地占据未来碳化硅市场。
在此背景下，www.188betkr.com 将于2025年8月21日在江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。杭州晶驰机电有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
杭州晶驰机电有限公司成立于2021年7月，公司总部与研发中心位于杭州市萧山区浙江大学杭州国际科创中心，办公面积约1000 ㎡。
公司致力于精密焊接技术的研究，金属管件和真空腔体的开发与生产。主要为国内外半导体设备——PVD、CVD、PECVD、MOCVD、刻蚀机、离子注入机等提供专用高端精密零部件，是国内外半导体设备厂的重要供应商。同时产品广泛应用于大科学装置、太阳能光伏、LED、制药设备和特种真空设备等一系列高端产业。产品技术达到国际先进水平，处于同行业发展前列。
目前公司产品包括6英寸水平进气和8英寸垂直进气碳化硅外延设备（LPCVD法），金刚石晶体生长设备（MPCVD法），氮化铝晶体生长设备，碳化硅源粉合成炉，碳化硅晶体生长设备（PVT法），氧化镓单晶生长炉（导模法、CZ法），各种晶体和晶片热处理炉。
公司拥有一支由国内知名专家教授领衔的技术研发及顾问团队，具有国内一流的自主研发创新能力，技术研发水平处于国内领先地位。公司牢固树立人力资源为第一资源的理念，秉承“尊重人才价值、塑造人才品质、致力人才成长”的宗旨，以人为本、同心同向，实现公司与员工的共同发展。
产品介绍
1、小圆柱式微波等离子体沉积（CVD）系统
该设备为微波等离子化学气相沉积系统（MWCVD）。采用2.45GHz频率微波源，电场激发谐振腔模式为TM013模式，激发稳定的等离子体。该系统可以稳定生长金刚石单晶材料、多晶晶圆。通过工艺调节,可以稳定生长出 2 英寸金刚石晶圆。
主要应用领域：半导体衬底、热沉片、珠宝、刀具、机械密封、新一代移动通信、智能电网、消费类电子等。
2、单腔立式外延炉
相较现有立式外延炉有更低的硬件成本,更小的占地面积;
兼容4/6/8寸晶圆外延生长,成膜质量好,可实现厚外延层快速生长；
更长的维护周期,更低的耗材成本；
会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
邮箱：duanwanwan@cnpowder.com
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