【原创】新机遇,新挑战!第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会成功召开


来源:www.188betkr.com   空青

[导读]  第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会成功召开!

www.188betkr.com 讯  2025年8月21日,由www.188betkr.com 主办的“第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会”在苏州·白金汉爵大酒店隆重召开!本届会议汇聚碳化硅产业链各个环节的专家学者、技术人员、企业界代表共计300余人,围绕着碳化硅单晶生长技术发展、晶体加工技术进展及设备应用、碳化硅产业发展趋势等方面进行了深入探讨交流,共同展望了行业未来发展。



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签到现场



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会议现场


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www.188betkr.com 会展事业部总经理孔德宇先生主持开幕式


会议精彩报告环节


陈雪江副教授介绍了碳化硅晶体生长技术研究现状,基于SiC晶体外延生长中微观原子的动力学过程,陈教授利用蒙特卡罗(KMC)模型研究了3C-SiC台阶生长的过程,并对台阶流动生长稳定性机制研究进行了介绍,对影响台阶生长模式的因素作了分析。



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西安交通大学能源与动力工程学院副教授陈雪江作《3C-SiC晶体台阶生长微观机理研究》报告


史冬梅研究员介绍了近年来美国、欧盟、日本、韩国等发达国家和地区在半导体特别是第三代半导体碳化硅技术领域的发展战略、科技计划项目部署及国家技术创新平台建设等相关政策。梳理了主要国家和地区碳化硅半导体材料、外延及器件的技术和产业化进展情况,并对碳化硅半导体技术发展态势作了展望。


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国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心研究员、原技术总师史冬梅作《碳化硅半导体技术和产业发展现状及态势》报告


周骏峰经理聚焦当下中国新能源汽车的市场背景,从材料价格、封装技术到产品应用等方面分析了碳化硅功率器件的市场应用进展,并展示芯塔电子在该领域的创新实践。


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安徽芯塔电子科技有限公司高级市场经理周骏峰作《车用SiC功率器件市场分析与展望》报告


刘晓星经理从碳化硅衬底分类、碳化硅单晶生长工艺、衬底晶片加工工艺及衬底尺寸发展等方面介绍了碳化硅单晶衬底的发展现状,随后分别对导电N型衬底和高纯半绝缘衬底的市场应用现状作了分析。



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山西烁科晶体有限公司市场经理刘晓星作《碳化硅单晶衬底材料的发展及展望》报告



俞宝清总经理从晶圆衬底生产工艺的角度出发,介绍了倒角工艺在晶圆衬底制备中的作用,并对晶圆轮廓所具备的特性作了分析,讲述了晶圆边缘轮廓的检测方法和手段,最后展示了兰辰光电在该领域的技术突破及公司产品市场应用情况。


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宁波兰辰光电有限公司总经理兼技术总监俞宝清作《晶圆边缘轮廓与缺陷检测技术及装备》报告


大尺寸半导体单晶具有超硬/超脆的特点,切磨抛加工困难,损耗大,成本高,如何提高质量、产片率是行业发展重点。修向前教授在报告中介绍了几种常用的碳化硅切片加工技术和新型切割技术,并将线切割和激光切割技术进行了对比,详细阐述了激光切割技术在碳化硅单晶切割中的应用现状以及技术进展,最后介绍了目前其团队在半导体单晶(单晶/多晶金刚石、氮化镓、氧化镓)激光切割技术的研究进展。


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南京大学修向前教授作《大尺寸半导体单晶激光切片技术研究》报告


超低阻碳化硅键合集成技术是第三代半导体领域的重要创新。刘福超副总经理介绍了超低阻碳化硅键合技术的基础原理和特点,并举例详细说明了超低阻碳化硅键合材料应用的5大优势。随后阐述了碳化硅键合材料在散热、光学等领域的应用进展,最后介绍了青禾半导体在该领域的产业化进展情况。


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青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司联合创始人&副总经理刘福超作《超低阻碳化硅键合集成技术应用与产业化》报告


王巍介绍了碳化硅功率器件和碳化硅衬底的市场进展情况,指出碳化硅市场所面临的内卷、降本、产品升级和地缘关系等四大痛点,介绍了近年全球碳化硅行业的局势变化,分析了国内外碳化硅衬底、器件的产能、价格变动等概况。随后罗列了全球碳化硅衬底厂商12英寸技术进展,分享了碳化硅未来的新兴应用领域,特别是AR眼镜,最后对碳化硅产业未来发展作了展望。


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 河北同光半导体股份有限公司销售副总王巍作《挑战与机遇并存--碳化硅材料市场发展现状及展望》报告


全自动碳化硅晶片腐蚀炉在碳化硅晶体缺陷检测行业具有重要作用。赵聪经理简单介绍了碳化硅材料发展概况,分享了碳化硅晶片腐蚀的原理、应用及缺陷检测方法。最后展示了晶驰机电研发的“全自动碳化硅腐蚀炉”的实践案例及产品亮点。


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杭州晶驰机电有限公司研发经理赵聪作《全自动碳化硅晶片腐蚀炉在碳化硅晶体缺陷检测行业的应用》报告


蒋志强总监揭示了碳化硅行业所面临的痛点,阐述了溶液法生长碳化硅单晶技术的发展态势及产业化进展。随后介绍了臻晶半导体在溶液法生长碳化硅单晶产业进展概况及设备研发进展。最后分析了溶液法生长碳化硅单晶产业化的关键问题,并提出解决对策。


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常州臻晶半导体有限公司总经理陆敏(蒋志强代)作《液相法碳化硅晶体生长态势及产业化》报告


张泽芳总经理详细介绍了半导体衬底加工工艺发展概况,分享了碳化硅的CMP机制,针对碳化硅衬底加工特点,介绍了博来纳润碳化硅衬底CMP加工工艺及相关产品。


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 浙江博来纳润电子材料有限公司总经理张泽芳博士作《碳化硅CMP材料的整体解决方案》报告


陈飞简单介绍了碳化硅行业概况,分析了碳化硅加工场景中遇到的问题,指出碳化硅加工过程出现问题中很大部分出现在冷却液环节,并分享了采用宇佳智能整套过滤方案来解决冷却液稳定性问题,并展示了公司的整体过滤方案的过滤效果及客户使用案例。


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江苏宇佳智能装备有限公司执行董事陈飞作《提高SiC晶体研磨效率和表面质量》报告


展会现场精彩一瞬




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展会现场



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参会人员面对面交流


(16英寸碳化硅衬底,日本厂商提供)


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参展部分产品


小结


本届会议充分体现了业界对SiC半导体材料与器件技术发展的高度关注和迫切需求。未来,随着产学研协同创新的深化,期待业界同仁携手共进,攻克技术难关,优化制造工艺,降低成本,共同推动中国第三代半导体产业迈上新台阶,为全球绿色能源转型和信息技术发展做出更大贡献。


(www.188betkr.com 苏州报道/空青)

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作者:空青

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