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产品简今/div>
介绍９/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素??比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、/span>
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应用：激光剥离测试材料，半导体芯片材料的分析与测试，高端光学领域、/span>
⠀
产品规格?/span>
⠀⠀⠀
碳化硅晶棒及特殊尺寸规格 |
|||
型号 |
4H-N导电 4H-HPSI高纯半绝缘型 |
||
类型 |
晶锭与晶棑/p> |
晶片 |
异形规格 |
尺寸规格案例1 |
4英寸*T10mm晶棒 |
2英寸*T3.0mm厚片 |
碳化硅圆环方坖/p> |
尺寸规格案例2 |
6英寸*T20mm晶棒 |
2英寸*T0.1mm超薄 |
碳化硅眼镜光学镜牆/p> |
尺寸规格案例3 |
8英寸*T20mm晶棒 |
3英寸*T5.0mm厚片 |
碳化硅打孓/p> |
尺寸规格案例4 |
2~8寸晶?/p> |
6英寸*T1.0mm厚片 |
碳化硅激光切剱/p> |
尺寸规格案例5 |
晶棒抛光 |
直径159*T0.725mm载片 |
碳化硅雕刺/p> |
表面状?/p> |
切割 |
研磨 |
抛光 |
⠀
⠀⠀
产品性能?/span>
⠀
碳化硅单?nbsp;Silicon carbide |
|
晶体结构 |
六方晶体 |
禁带宽度(eV) |
3.26eV |
熔点（℃（/p> |
2730ℂ/p> |
莫氏硬度(mohs) |
9.2 |
热导?W·cm-1·ℂsup>-1) |
4.9W·cm-1·ℂsup>-1 |
热膨胀系数(ℂsup>-1) |
4.7×10-6 |
晶格常数(nm) |
a=0.3076 c=0.5048 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1（/p> |
720a650c |
击穿电场(MV·cm-1) |
3.1 |
JFM指数（power（/p> |
410 |
BFM指数(SW) |
290 |
BHFM指数(RF) |
34 |
折射玆/p> |
2.6767?.6480 |
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