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产品详情
碳化硅外延P-Type
产品简今/div>
介绍：碳化硅（SiC）外延P型是通过在SiC衬底上生长掺杂受主杂质（如铝或硼）的外延层实现的，具有宽禁带、高导热性和高击穿电场等特性、/p>
⠀
应用：应用于功率电子（高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动）、高温器件、IGBT（电动汽车和电力系统）、BJT（高功率放大和开关应用）和射频器件（5G基站和雷达）等领域有广泛应用，特别适合高功率、高频和高温环境、/p>
产品规格?/span>
⠀⠀
碳化硅P型外延衬底（2~8inch（/strong> |
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衬底直径 |
2英寸-50.8mm |
4英寸-100mm |
6英寸-150mm |
8英寸-200mm |
碳化硅衬底厚?/p> |
350μm |
350μm |
350μm |
500μm |
碳化硅衬底晶吐/p> |
Off-Axis?°toward <11-20>±0.5° |
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碳化硅衬底电阻率 |
0.014?.028 Ω•cm |
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外延导电类型 |
P-type |
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掺杂元素 |
Al-doping |
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外延层厚?/p> |
? um |
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外延层厚度均匀?/p> |
?% |
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外延层表靡/p> |
RMS?nm |
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外延结构国/p> |
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