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产品详情
产品简今/div>
介绍９/span>砷化镓（GaAs）是一种III-V族化合物半导体，具有直接能隙?.43 eV）、高电子迁移率和优异的高频特性。其高速、低噪声和抗辐射性能使其成为微波射频、光电子和功率器件的重要材料、/span>
⠀
应用９/strong>砷广泛用于射频和微波器件，如5G通信芯片、雷达系统和卫星通信设备。它还应用于光电子领域，如激光器、光探测器和高效太阳能电池，适用于高速光通信和航天应用、/span>
产品规格?/span>
⠀⠀
砷化镓单晶衬底晶片（2~8inch （/strong> |
|||||
直径 |
50.8mm |
76.2mm |
100mm |
150mm |
200mm |
厚度 |
350μm |
350μm |
350μm |
675μm |
675μm |
表面晶向 |
(100) 15.0˚± 1.0˚ off toward (111) |
<100>±1.0° |
|||
主定位边晶向 |
EJ<0-1-1>±1.0° |
||||
主定位边长度 |
12mm |
22mm |
32mm |
Notch |
Notch |
次定位边晶向 |
EJ<0-1 1>±1.0° |
N/A |
N/A |
||
次定位边长度 |
7mm |
12mm |
18mm |
N/A |
N/A |
正面状?/p> |
Epi-polished |
||||
反面状?/p> |
SSP:Etched; DSP:Epi-polished |
||||
总厚度偏差TTV |
?0μm |
?0μm |
?5μm |
?0μm |
?0μm |
弯曲度BOW |
?2μm |
?5μm |
?0μm |
?5μm |
?0μm |
翘曲度WARP |
?5μm |
?0μm |
?5μm |
?0μm |
?0μm |
边缘去除 |
? mm |
||||
应用 |
LED应用 |
LD激光应?/p> |
半导?微电子芯牆/p> |
||
导电类型 |
N-Ttpe |
N-Ttpe |
Insulating |
||
掺杂元素 |
Si-doping |
Si-doping |
Undoped |
||
电阻玆/p> |
(1~9）E-3ohm-cm |
(1~9）E-3ohm-cm |
?E7ohm-cm |
||
位错密度(EPD) |
?000/cm2 |
?00/cm2 |
?000/cm2 |
||
载流子浓?CC) |
(0.4~5）E18/cm3 |
(0.4~2.5）E18/cm3 |
N/A |
||
电子迁移?Mobility) |
?000cm2/v.s |
?500cm2/v.s |
?000cm2/v.s |
||
⠀
产品性能?/span>
砷化镓单晶衬底晶片（2~8inch （/strong> |
|
晶体结构 |
立方晶体 |
禁带宽度(eV) |
1.42eV |
熔点（℃（/p> |
1238ℂ/p> |
莫氏硬度(mohs) |
5.6 |
热导?W·cm-1·ℂsup>-1) |
0.55W·cm-1·ℂsup>-1 |
热膨胀系数(ℂsup>-1) |
5.8×10-6 |
晶格常数(nm) |
a=0.5652 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1（/p> |
8500 |
击穿电场(MV·cm-1) |
4 |
JFM指数（power（/p> |
11 |
BFM指数(SW) |
28 |
BHFM指数(RF) |
16 |
折射玆/p> |
3.24~3.33 |
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