介绍:硅片的原始材料是高纯度的多晶硅,经过一系列复杂的加工工艺,包括晶体生长、研磨、抛光、切片等步骤后形成,以满足半导体芯片制造的要求、/p>
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应用:硅片广泛用于集成电路(IC)、功率半导体、传感器和光电子器件,是半导体行业的核心材料。它支撑了智能手机、计算机?G通信、新能源汽车、工业控制等领域的发展。随着先进封装和硅光子技术的进步,硅片在高性能计算(HPC)和光通信中发挥着重要作用、/p>
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单晶硅衬底(2~12英寸(/strong> |
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直径 |
50.8mm |
76.2mm |
100mm |
150mm |
200mm |
300.mm |
厚度 |
400μm |
400μm |
500μm |
625μm |
725μm |
775μm |
表面晶向 |
<100> ?nbsp; <111> ?nbsp; <110> |
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生长方式 |
CZ ?nbsp; FZ |
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掺杂类型 |
N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping) |
P-type(B-Doping) |
Intrinsic |
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定位边晶吐/p> |
16mm |
22mm |
32.5mm |
47.5mm |
Notch |
Notch |
电阻玆/p> |
0.001-0.005ohm-cm |
1-100ohm-cm |
?0000ohm-cm |
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正面状?/p> |
Epi-polished,Ra<0.5nm |
|||||
反面状?/p> |
SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm |
|||||
总厚度偏差TTV |
?μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
弯曲度BOW |
?0μm |
?2μm |
?5μm |
?5μm |
?0μm |
?5μm |
翘曲度WARP |
?2μm |
?5μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
边缘去除 |
? mm |
? mm |
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单晶 Si |
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Growth Method |
CZ/FZ |
Crystal Structure |
Diamond |
Lattice Constant(nm) |
a=5.4305Å |
Density(g/cm3) |
2.329 |
Melting point |
1410ℂ/p> |
Mohs Hardness(mohs) |
7 |
Dielectric Constant |
11.8 |
Band Gap(eV) |
1.1 |
Breakdown Electrical Field ((MV/cm)) |
0.3 |
Thermal Conductivity(n-type?W/cm.K ) |
1.48 |
Electron Mobility(cm2·V-1·s-1) |
1480 |
热膨胀系数 |
2.6×10^-6 /ℂ/p> |
折射玆/p> |
3.5 |