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产品详情
常规硅片
产品简今/div>

介绍:硅片的原始材料是高纯度的多晶硅,经过一系列复杂的加工工艺,包括晶体生长、研磨、抛光、切片等步骤后形成,以满足半导体芯片制造的要求、/p>

应用:硅片广泛用于集成电路(IC)、功率半导体、传感器和光电子器件,是半导体行业的核心材料。它支撑了智能手机、计算机?G通信、新能源汽车、工业控制等领域的发展。随着先进封装和硅光子技术的进步,硅片在高性能计算(HPC)和光通信中发挥着重要作用、/p>

产品规格?/span>


⠀⠀

单晶硅衬底(2~12英寸(/strong>

直径

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

200mm

300.mm

厚度

400μm

400μm

500μm

625μm

725μm

775μm

表面晶向

<100> ?nbsp; <111> ?nbsp; <110>

生长方式

CZ ?nbsp; FZ

掺杂类型

N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)

P-type(B-Doping)

Intrinsic

定位边晶吐/p>

16mm

22mm

32.5mm

47.5mm

Notch

Notch

电阻玆/p>

0.001-0.005ohm-cm

1-100ohm-cm

?0000ohm-cm

正面状?/p>

Epi-polished,Ra<0.5nm

反面状?/p>

SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm

总厚度偏差TTV

?μm

?0μm

?0μm

?0μm

?0μm

?0μm

弯曲度BOW

?0μm

?2μm

?5μm

?5μm

?0μm

?5μm

翘曲度WARP

?2μm

?5μm

?0μm

?0μm

?0μm

?0μm

边缘去除

? mm

? mm


产品性能?/span>


单晶 Si

Growth Method
生长方式

CZ/FZ

Crystal Structure
晶体结构

Diamond

Lattice Constant(nm)
晶格常数

a=5.4305Å

Density(g/cm3)
密度

2.329

Melting point
熔点(℃(/p>

1410ℂ/p>

Mohs Hardness(mohs)
莫氏硬度

7

Dielectric Constant
介电常数

11.8

Band Gap(eV)
禁带宽度

1.1

Breakdown Electrical Field ((MV/cm))
击穿电场

0.3

Thermal Conductivity(n-type?W/cm.K )
热导率(导电型)

1.48

Electron Mobility(cm2·V-1·s-1)
电子迁移玆/p>

1480

热膨胀系数

2.6×10^-6 /ℂ/p>

折射玆/p>

3.5


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