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江阴晶沐光电新材料有限公号/div>
首页 > 产品中心 > 碳化硅粉 > 导电型单晶衬应/div>
产品简今/div>
介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素??比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、/p>
应用：新能源汽车领域：在电动汽车的电驱系统、车载充电系统（OBC）、车载DC/DC及非车载充电桩等组件中广泛应用。例如在电动车逆变器中，使?H-N型导电碳化硅晶片制成的功率器件，可使整车能耗更低、尺寸更小、充电更快、续航里程更长、/p>
⠀产品规格?/span>
碳化?H-N导电型单晶衬底（2~8英寸（/span> |
||||
直径 |
50.8mm |
100.0mm |
150.0mm |
200.0mm |
厚度 |
350μm |
350μm |
350μm |
500μm |
表面晶向 |
Off-Axis?°toward <11-20>±0.5° |
|||
主参考面晶向 |
Parallel to <11-20>±1° |
<1-100>±1° |
||
主参考面长度 |
16.0mm |
32.5mm |
47.5mm |
Notch |
次参考面位置 |
Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5. |
N/A |
N/A |
|
次参考面长度 |
8.0mm |
18.0mm |
N/A |
N/A |
电阻玆/p> |
0.014?.028Ω•cm |
|||
正面状?/p> |
Si-Face：CMP,Ra<0.2nm |
|||
反面状?/p> |
C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm |
|||
镭刻码面 |
Back side：C-Face |
|||
总厚度偏差TTV |
?0μm |
?5μm |
?5μm |
?0μm |
弯曲度BOW |
?5μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
翘曲度WARP |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
边缘去除 |
? mm |
|||
⠀
⠀产品性能?/span>
碳化硅单?nbsp;Silicon carbide |
|
晶体结构 |
六方晶体 |
禁带宽度(eV) |
3.26eV |
熔点（℃（/p> |
2730ℂ/p> |
莫氏硬度(mohs) |
9.2 |
热导?W·cm-1·ℂsup>-1) |
4.9W·cm-1·ℂsup>-1 |
热膨胀系数(ℂsup>-1) |
4.7×10-6 |
晶格常数(nm) |
a=0.3076 c=0.5048 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1（/p> |
720a650c |
击穿电场(MV·cm-1) |
3.1 |
JFM指数（power（/p> |
410 |
BFM指数(SW) |
290 |
BHFM指数(RF) |
34 |
折射玆/p> |
2.6767?.6480 |
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