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产品详情
氧化硅片
产品简今/div>
介绍：二氧化硅（SiO₂）是一种常见的无机化合物，主要以石英、玻璃和硅胶等形式存在。它具有高硬度、高熔点（约1713℃）、优异的化学稳定性和良好的绝缘性能、/p>
⠀
应用：二氧化硅（SiO₂）广泛应用于半导体、光通信、玻璃和陶瓷等领域。它在电子工业中作为硅片的氧化层、绝缘介质和CMP抛光材料，在光通信中作为光纤的主要材料，并用于制造光学玻璃和防反射涂层。此外，SiO₂还用于耐火材料、催化剂载体、食品添加剂和药物载体，发挥其优异的化学稳定性和耐热性、/p>
产品规格?/span>
⠀
二氧化硅衬底?~12inch（/strong> |
||||||
直径 |
50.8mm |
76.2mm |
100mm |
150mm |
200mm |
300mm |
厚度 |
400μm |
400μm |
500μm |
625 μm |
725μm |
775μm |
表面晶向 |
<100> ?nbsp; <111> ?nbsp; <110> |
|||||
掺杂类型 |
N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping) |
P-type(B-Doping) |
Intrinsic |
|||
定位边长?/p> |
16mm |
22mm |
32mm |
47.5mm |
Notch |
Notch |
正面状?/p> |
Epi-polished,Ra<0.5nm |
|||||
反面状?/p> |
SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm |
|||||
氧化类型 |
单面氧化 ?nbsp; 双面氧化 |
|||||
氧化层厚?/p> |
50nm |
100nm |
300nm |
500nm |
1000nm |
2000nm |
总厚度偏差TTV |
?μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
弯曲度BOW |
?0μm |
?2μm |
?5μm |
?5μm |
?0μm |
?5μm |
翘曲度WARP |
?2μm |
?5μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
边缘去除 |
? mm |
? mm |
||||
⠀
⠀
产品性能?/span>
⠀
单晶 Si |
|
晶体结构 |
金刚石立方晶佒/p> |
禁带宽度(eV) |
1.12eV |
熔点（℃（/p> |
1414ℂ/p> |
莫氏硬度(mohs) |
7 |
热导?W·cm-1·ℂsup>-1) |
1.5W·cm-1·ℂsup>-1 |
热膨胀系数(ℂsup>-1) |
2.5×10-6 |
晶格常数(nm) |
a=0.5431 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1（/p> |
1350 |
击穿电场(MV·cm-1) |
0.3 |
JFM指数（power（/p> |
1 |
BFM指数(SW) |
1 |
BHFM指数(RF) |
1 |
折射玆/p> |
3.5 |
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