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产品详情
半绝缘型单晶衬底
产品简今/div>

介绍9/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料,属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素??比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、/span>

应用:在5G基站建设中,用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)等射频功率放大器器件;在卫星通信的射频器件;可用于制作紫外探测器;在增强现实(AR)衍射光波导中可作为理想的波导材料;高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、/span>

产品规格?/span>

碳化?H-HPSI高纯半绝缘型单晶衬底?~6英寸(/span>

直径

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

厚度

500μm

500μm

500μm

500μm

表面晶向

{0001} ± 0.2°

主参考面晶向

<11-20>± 5.0˚

<1-100>±5°

主参考面长度

16mm

22mm

32.5mm

Notch

次参考面位置

Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚

N/A

次参考面长度

8mm

11mm

18mm

N/A

电阻玆/p>

?E7 Ω·cm

正面状?/p>

Si-Face:CMP,Ra<0.2nm

反面状?/p>

C-Face:Optical Polish,Ra<0.5nm

镭刻码面

Back side:C-Face

总厚度偏差TTV

?0μm

?5μm

?5μm

?5μm

弯曲度BOW

?5μm

?5μm

?0μm

?0μm

翘曲度WARP

?0μm

?5μm

?0μm

?0μm

边缘去除

? mm


产品性能?/span>

碳化硅单?nbsp;Silicon carbide

晶体结构

六方晶体

禁带宽度(eV)

3.26eV

熔点(℃(/p>

2730ℂ/p>

莫氏硬度(mohs)

9.2

热导?W·cm-1·ℂsup>-1)

4.9W·cm-1·ℂsup>-1

热膨胀系数(ℂsup>-1)

4.7×10-6

晶格常数(nm)

a=0.3076 c=0.5048

电子迁移率(cm-2·V-1·s-1(/p>

720a650c

击穿电场(MV·cm-1)

3.1

JFM指数(power(/p>

410

BFM指数(SW)

290

BHFM指数(RF)

34

折射玆/p>

2.6767?.6480

介绍9/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料,属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素??比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、/span>

应用:在5G基站建设中,用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)等射频功率放大器器件;在卫星通信的射频器件;可用于制作紫外探测器;在增强现实(AR)衍射光波导中可作为理想的波导材料;高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、/span>

介绍9/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料,属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素??比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、/span>

应用:在5G基站建设中,用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)等射频功率放大器器件;在卫星通信的射频器件;可用于制作紫外探测器;在增强现实(AR)衍射光波导中可作为理想的波导材料;高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、/span>


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