介绍９�/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素�?�?比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、�/span>

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应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、�/span>

产品规格�?/span>

碳化�?H-HPSI高纯半绝缘型单晶衬底�?~6英寸（�/span>
直径	50.8mm	76.2mm	100mm	150mm
厚度	500μm	500μm	500μm	500μm
表面晶向	{0001} ± 0.2°
主参考面晶向	<11-20>± 5.0˚			<1-100>±5°
主参考面长度	16mm	22mm	32.5mm	Notch
次参考面位置	Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚			N/A
次参考面长度	8mm	11mm	18mm	N/A
电阻玆�/p>	�?E7 Ω·cm
正面状�?/p>	Si-Face：CMP,Ra<0.2nm
反面状�?/p>	C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm
镭刻码面	Back side：C-Face
总厚度偏差TTV	�?0μm	�?5μm	�?5μm	�?5μm
弯曲度BOW	�?5μm	�?5μm	�?0μm	�?0μm
翘曲度WARP	�?0μm	�?5μm	�?0μm	�?0μm
边缘去除	�? mm

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产品性能�?/span>

碳化硅单�?nbsp;Silicon carbide
晶体结构	六方晶体
禁带宽度(eV)	3.26eV
熔点（℃（�/p>	2730ℂ�/p>
莫氏硬度(mohs)	9.2
热导�?W·cm-1·ℂ�sup>-1)	4.9W·cm-1·ℂ�sup>-1
热膨胀系数(ℂ�sup>-1)	4.7×10-6
晶格常数(nm)	a=0.3076 c=0.5048
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1（�/p>	720a650c
击穿电场(MV·cm-1)	3.1
JFM指数（power（�/p>	410
BFM指数(SW)	290
BHFM指数(RF)	34
折射玆�/p>	2.6767�?.6480

介绍９�/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素�?�?比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、�/span>

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应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、�/span>

介绍９�/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素�?�?比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、�/span>

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应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、�/span>