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产品详情
氮化镓单晶衬应/div>
- 参考报价：
- 面议
- 品牌９/dt>
- 晶沐光电
- 关注度：
- 383
- 样本９/dt>
- 暂无
- 型号９/dt>
- 氮化镓单晶衬
- 产地９/dt>
- 江苏
- 信息完整度：
-
- 典型用户９/dt>
- 暂无
产品简今/div>
介绍：氮化镓（GaN）是氮和镓的化合物，是一种III和V的直接能隙的半导体。氮化镓的能隙很宽，?.4电子伏特。具有高热导率、高击穿电压、高效率，适合高性能电子和光电子应用、/p>
⠀
应用：用于高端激光芯片等；应用于激光显示技术，如家庭影院、商业投影、AR/VR设备、车载显示等；用?G通信基站、卫星通信、雷达系统等高频高功率场景。紫外探测器、高亮度LED、高效率功率转换器、电动汽车充电器等、/p>
产品规格?/span>
⠀⠀
氮化镓单晶衬底（2~4英寸（/strong> |
|||
直径 |
50.8 mm |
76.2mm |
100mm |
厚度 |
400μm |
450μm |
450μm |
端面晶向 |
?001 ± 0.2°Ga face |
||
斜切角（C偏M（/p> |
0.5°C-plane off angle toward M-axis |
||
斜切角（C偏A（/p> |
0.0°C-plane off angle toward A-axis |
||
主定位边晶向 |
M-plane (10-10) ± 2.0˚ |
||
主定位边长度 |
16mm |
22mm |
32mm |
次定位边晶向 |
Ga face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚ |
||
次定位边长度 |
8mm |
11mm |
18mm |
正面状?/p> |
0.3 nm(10μm ×10μm) |
||
反面状?/p> |
Polished; Etched |
||
镭刻码面 |
Back side：N-Face |
||
总厚度偏差TTV |
?5μm |
?5μm |
?0μm |
弯曲度BOW |
?0μm |
?0μm |
?0μm |
翘曲度WARP |
?0μm |
?5μm |
?0μm |
边缘去除 |
? mm |
||
电学参数 |
掺杂元素 |
电阻玆/p> |
/ |
Semi-Insulating (Carbon) |
?E8 ohm-cm |
/ |
|
N-type (Silicon) |
?.02 ohm-cm |
/ |
|
UID（Undoped（/p> |
?.2 ohm-cm |
/ |
|
⠀
产品性能?/span>
氮化镓单晶衬底（2~4英寸（/strong> |
|
晶体结构 |
六方晶体 |
禁带宽度(eV) |
3.45eV |
熔点（℃（/p> |
2400ℂ/p> |
莫氏硬度(mohs) |
9.5 |
热导?W·cm-1·ℂsup>-1) |
1.3W·cm-1·ℂsup>-1 |
热膨胀系数(ℂsup>-1) |
αa=5.6×10-6 |
晶格常数(nm) |
a=0.3189 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1（/p> |
900 |
击穿电场(MV·cm-1) |
4.9 |
JFM指数（power（/p> |
790 |
BFM指数(SW) |
910 |
BHFM指数(RF) |
100 |
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