碳化硅（SiC）是Ⅲ�/span>-Ⅳ族二元化合�?/span>,也是元素周期表Ⅳ组元素中**的稳定固态化合物,是一种重要的半导体材料� 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。目前用于衬底的碳化硅以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）不�/span>N型、�/span>

常用规格９�/span>

4H-N型碳化硅晶片

尺寸９�/span>2英寸直径50.8mm | 4英寸直径100mm | 6英寸直径150mm

晶向９�/span>off axis 4.0˚toward <1120>±0.5˚

电阻玆�/span>９�/span><0.1 ohm.cm

表面粗糙�?/span>９�/span>Si�?nbsp;CMP Ra <0.5nm, C�?nbsp;Ra <1 nm

4H-半绝缘型碳化硅晶牆�/span>

尺寸９�/span>2英寸直径50.8mm | 4英寸直径100mm | 6英寸直径150mm

晶向９�/span>on axis {0001}±0.25˚

电阻玆�/span>９�/span>>1E5 ohm.cm

表面粗糙�?/span>９�/span>Si�?nbsp;CMP Ra <0.5nm, C�?nbsp;Ra <1 nm

*更多规格请联系客�?nbsp;