氮化镓（GaN）半导体禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作、�/span>

常用规格９�/span>

N型（硅掺）自支撑氮化镒�/span>

尺寸９�/span>10*10mm | 2英寸直径50.8mm | 4英寸直径100mm

晶向９�/span>(0001) Ga face

电阻玆�/span>９�/span>�?nbsp;0.05 ohm.cm

抛光９�/span>双面抛光

N型（非掺）自支撑氮化镒�/span>

尺寸９�/span>10*10mm | 2英寸直径50.8mm | 4英寸直径100mm

晶向９�/span>(0001) Ga face

电阻玆�/span>９�/span>�?nbsp;0.5 ohm.cm

抛光：单面抛先�/span>|双面抛光