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希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料?英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件、/span>希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料?英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件、span segoe="" helvetica="" background-color:="" font-size:="" style="box-sizing: border-box; color: rgb(55, 58, 60); font-family: -apple-system, BlinkMacSystemFont, "Segoe UI", Roboto, "Helvetica Neue", 微软雅黑, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-wrap: wrap; background-color: rgb(255, 255, 255);">希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料?英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件、/span>希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料?英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。产品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅电力电子器件、/span>
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