介绍了类石墨烯氮化碳(g-C3N4)的起源、发展、结构和性能，并� g-C3N4的制备方法进行了综述。综述了 g-C3N4在气体膜分离领域的研究进展，详细介绍了气体膜的制备、分离性能和分离机理。最后展望了 g-C3N4在膜刅�/p>2024�?1�?0�?nbsp;更新

用选区激光熔�?SLM)技术制备多孔石墨烯/钛复合材�?研究了石墨烯(Gr)作为增强相对其微观结构、力学性能以及抗腐蚀性能的影响。结果表昍�用SLM制备的多孔钛由较小的等轴晶组�?石墨烯加入使其晶粒尺寸进一步减�?石墨烯没月�/p>2024�?1�?5�?nbsp;更新

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为防止植入体细菌感染,通过水热法在钛种植体表面制备石墨烯量子点掺杂的TiO2纳米棒阵列。采用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪和傅里叶转换红外光谱仪对纳米棒阵列进行表征,证明

尽管石墨烯薄膜材料表现出优异的电学、光学等物理化学性质,但相较于石墨烯粉体材�?其商业化应用还远未成�?基于化学气相沉积�?在金属衬底上生长石墨烯薄膜被认为是批量化制备大尺寸石墨烯薄膜的主流路�?其中,在平整的Cu(111)

本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术制备了铜基-石墨烯复合薄�?通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可行�?同时,逐步研究

通过原位化学气相沉积(CVD)技�?在铜粉上包覆石墨�?再通过真空热压技术制备出石墨�?铜合金。研究表昍�铜晶粒表面包覆了高质量的石墨烯。在铜粉表面原位生长的石墨烯均匀分散在铜晶粒的晶界处,而且石墨烯的含量�?只占0.04%

设计了氮掺杂石墨烯负载四种过渡金属单原子催化剂用于CO2RR(金属为Cu、Rh、Ir、Mn),考虑�?种氮配位(N1、N2-1、N2-2、N3和N4),并通过第一性原理研究反应机理。自由能曲线显示Ir-N4具有-0.323e