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介绍:硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延是在硅衬底上生长氮化镓薄膜的技术,结合了GaN的高性能和硅衬底的低成本优势、/p>
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应用:用于高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动的功率电子器件;适用?G基站、雷达和卫星通信等射频器件;用于高亮度LED,提升发光效率等、/p>
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硅基氮化镓外延衬底Tempalte?~8inch(/strong> | ||||
衬底直径 | 50.8mm | 100mm | 150mm | 200mm |
硅衬底厚?/p> | 1000μm | 1000μm | 1000μm | 1150μm |
硅衬底表靡/p> | Polished/Etched | |||
硅衬底晶吐/p> | P(111) | |||
外延导电类型 | N-type | P-type | UID | |
外延掺杂元素 | Si-doping | Mg-doping | Undoped | |
外延层厚?/p> | ? um | |||
外延层厚度均匀?/p> | ?% | |||
外延层表靡/p> | RMS?nm | |||
外延结构国/p> |
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