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介绍９/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素??比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、/span>
⠀
应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、/span>
碳化?H-HPSI高纯半绝缘型单晶衬底?~6英寸（/span> |
||||
直径 |
50.8mm |
76.2mm |
100mm |
150mm |
厚度 |
500μm |
500μm |
500μm |
500μm |
表面晶向 |
{0001} ± 0.2° |
|||
主参考面晶向 |
<11-20>± 5.0˚ |
<1-100>±5° |
||
主参考面长度 |
16mm |
22mm |
32.5mm |
Notch |
次参考面位置 |
Silicon face up: 90.0˚ CW from Primary ± 5.0˚ |
N/A |
||
次参考面长度 |
8mm |
11mm |
18mm |
N/A |
电阻玆/p> |
?E7 Ω·cm |
|||
正面状?/p> |
Si-Face：CMP,Ra<0.2nm |
|||
反面状?/p> |
C-Face：Optical Polish,Ra<0.5nm |
|||
镭刻码面 |
Back side：C-Face |
|||
总厚度偏差TTV |
?0μm |
?5μm |
?5μm |
?5μm |
弯曲度BOW |
?5μm |
?5μm |
?0μm |
?0μm |
翘曲度WARP |
?0μm |
?5μm |
?0μm |
?0μm |
边缘去除 |
? mm |
|||
⠀
碳化硅单?nbsp;Silicon carbide |
|
晶体结构 |
六方晶体 |
禁带宽度(eV) |
3.26eV |
熔点（℃（/p> |
2730ℂ/p> |
莫氏硬度(mohs) |
9.2 |
热导?W·cm-1·ℂsup>-1) |
4.9W·cm-1·ℂsup>-1 |
热膨胀系数(ℂsup>-1) |
4.7×10-6 |
晶格常数(nm) |
a=0.3076 c=0.5048 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1（/p> |
720a650c |
击穿电场(MV·cm-1) |
3.1 |
JFM指数（power（/p> |
410 |
BFM指数(SW) |
290 |
BHFM指数(RF) |
34 |
折射玆/p> |
2.6767?.6480 |
介绍９/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素??比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、/span>
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应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、/span>
介绍９/span>碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素??比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性、/span>
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应用：在5G基站建设中，用于制作氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）等射频功率放大器器件；在卫星通信的射频器件；可用于制作紫外探测器；在增强现实（AR）衍射光波导中可作为理想的波导材料；高温压力传感器、高频振动传感器、辐射传感器等、/span>
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移动?/p>
工商已核宝/p>
