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金刚石多晵/p> |
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直径 |
25.4 ± 0.3 mm |
50.8 ± 0.5 mm |
厚度 |
450 ± 30μm |
450 ± 30μm |
生长方式 |
MPCVD |
|
正面状?/p> |
Polished,Ra 1.0 nm |
|
反面状?/p> |
Polished; Grinding |
|
热膨胀系数 |
1.3 (10-6K-1) |
|
热导玆/p> |
1000-2000W/m.K |
|
总厚度偏差TTV |
? mm |
?0 mm |
边缘去除 |
? mm |
|
⠀
金刚石多晵/p> |
|
晶体结构 |
立方晶体 |
禁带宽度(eV) |
5.47eV |
熔点（℃（/p> |
4027ℂ/p> |
莫氏硬度(mohs) |
10 |
热导?W·cm-1·ℂsup>-1) |
20W·cm-1·ℂsup>-1 |
热膨胀系数(ℂsup>-1) |
0.8×10-6 |
晶格常数(nm) |
0.3567 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1（/p> |
1600 |
击穿电场(MV·cm-1) |
10 |
JFM指数（power（/p> |
5330 |
BFM指数(SW) |
14860 |
BHFM指数(RF) |
1080 |
折射玆/p> |
2.417 |
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