主轴转速:
-切割片尺寸:
-装机功率(kw):
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SiC晶体的切片方法有:砂浆线切割、金刚线切割,以及激光隐切。其中,激光隐切技术将高能量脉冲激光束聚焦在SiC晶体内部,在设定深度处形成微小裂纹,然后通过面内扫描形成一个裂纹层?后沿着该裂纹层剥离出晶片。与传统线切割方法相比,激光隐切具有剥离速度快,切割损耗低,可切割超薄晶片,以及切割成本低等优点。随着SiC晶锭尺寸变大,尤其是8寸和12寸,激光隐切技术在SiC晶片加工中的优势更为明显、/p>
任意加工深度的球差矫正;
可多束分光;
兼容SiC/GaN/Ga2O3/金刚石等多种材料
稳定可靠的光路结构;
7×24小时连续工作:/p>
有效的温漂抑制与补偿
可重复定位精 < 1μm:/p>
实时高度补偿:/p>
融合激光控制与光谱成像
| 分类 | 项目 | 参数 | |
|---|---|---|---|
| 外观 | 主机尺寸 | 1500(L) X 1300(W) X 1800(H) | |
| 整机重量 | ~1.2T | ||
| 基本参数与控制方泔/td> | 可加工尺寷/td> | 12 / 8 / 6寷/td> | |
| 激光功玆/td> | 0.5~50W | ||
| 脉冲激光器寿命 | 20000小时(正常工作时间) | ||
| X/Y/Z轴行稊/td> | 350mm/400mm/45mm | ||
| Y轴速度、加速度 | 500mm/s / 4000mm/s² | ||
| 单片扫描时间 | 21min (6??3min(8??7min(12? | ||
| 测高精度 | 0.7μm | ||
| 聚焦深度控制 | 表面预扫描,加工时动态调整聚焦深?/td> | ||
| 球差矫正深度 | 300μm / 350μm / 400μm / 450μm / 500μm / 550μm | ||
| “小面”加?/td> | “小面 光谱成像,自动分区差异化加工 | ||
| 晶体损耖/td> | 晶锭?晶片侧,总损耗厚?lt;100μm | ||
| 厂务要求 | 总电溏/td> | 220V?kW?0Hz | |
| 冷却氳/td> | 压力:~0.1MPa;流量:~7L/min;温度:18~25ℂ/td> | ||
| 压缩空气 | 压力?gt;0.45MPa;流量:<0.1L/min | ||
| 型号 | 可加工尺寷/th> | 价格(含税) | 货期 |
|---|---|---|---|
| L08 | 8?6?4寷/td> | 196丆/td> | 1?/td> |
| L12 | 12?8寷/td> | 199丆/td> | 4?/td> |
暂无数据
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