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主要技术指栆/p>
●靶材数量:2-4?/p>
●基片尺寸:2-8英寸
●基片台转速:5-30rpm,转速连续可谂/p>
主要特点
●具有多个溅射靶,可沉积单层、多层薄膜、合金薄膜和掺杂薄膜:/p>
●溅射方式:自下而上溅射、自上而下溅射可选;
●基片台可加热,可制备单晶薄膜;
●可选配辅助清洗离子源,有效提高薄膜的附着力;
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