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主要技术指标
●靶材数量：2-4个
●基片尺寸：2-8英寸
●基片台转速：5-30rpm，转速连续可调
主要特点
●具有多个溅射靶，可沉积单层、多层薄膜、合金薄膜和掺杂薄膜；
●溅射方式：自下而上溅射、自上而下溅射可选；
●基片台可加热，可制备单晶薄膜；
●可选配辅助清洗离子源，有效提高薄膜的附着力；
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