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碳化硅衬应/span>品牌
思莱兊/span>产地
上海样本
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碳化硅(SiC)衬底是第三代半导体材料的核心基础。目前市场上主流的碳化硅衬底尺寸??英寸。广泛应用于新能源、光伏?G通信、人工智能、物联网等领域。具有高禁带宽度(≤ 3.2eV)、高热导率(4.9W/cm・K)、高击穿电场强(2~4 MV/cm)、高电子饱和漂移速度的特性、/span>
高禁带宽?/span> | 高热导率 | 高击穿电场强 | 高电子饱和漂移速度 |
禁带宽度达≤ 3.2eV,在高温、高功率应用中优势明显。可提高能源转换效率、降低损耗、/span> | 热导率为 4.9W/cm・K,散热性能优异,能降低芯片温度、减少热失效风险、延长设备寿命、/span> | 高击穿电场强度约?nbsp;2~4 MV/cm,耐高压能力是硅的10倍,可减少设备体积重量、降低导通电阻、提高稳定性和可靠性、/span> | 适合高频应用,可减少信号传输延迟、提高速度和质量,与传统硅基射频器件相比,具有更低噪声系数和更高功率附加效率、/span> |
碳化硅衬底的制备工艺
粉料合成 晶体生长 (PVT法) 晶锭加工 晶圆切片 晶圆加工 碳化硅衬应/span>
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