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通过机械+特殊加工方法把多层键合衬底的表层LN/LT厚度减薄到μm级的POI Piezoelectric on Insulator )衬底。主要应用在5G/6G(高端SAW滤波器)、光通讯(薄膜电光调制器)、传感器等领域、/p>
| 指标 | 规格 |
|---|---|
| 薄膜材料 | 声学级铌酸锂/钽酸锂,光学级铌酸锂/钽酸锁/td> |
| 薄膜厚度 | 10μm |
| TTV | ?μm |
| LTV | ?00nm |
| PLTV | ?5% |
| 弯曲?/td> | 15μm |
| 翘曲?/td> | ?0μm |
| 粗糙?/td> | < 0.5nm |
| DDP | ?% |
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