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碳化硅粉
4英寸3C N型碳化硅衬底
国产碳化硅粉
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4英寸3C N型碳化硅衬底
产品介绍
3C N型SiC具有更高的电子迁移率?C-SiC?100 cm2/V∙s?H-SiC?00 cm2/V∙s),同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度,可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性,能大幅度提高器件产品良率、br style="margin: 0px; padding: 0px;"/>
主要指标
晶型?C 尺寸?0.8±0.38 mm
厚度?50±25μm 微管密度:<0.1 cm-2
电阻率≤0.0006 Ω∙cm
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