� 在Si面具有较好的去除率表�?br style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px;"/>� 抛光后表面缺陷较少，Si面粗糙度�?.06nm
� 使用时将A液与B液混合，加入定量的双氧水，循环使�?/span>

� 采用纳米级氧化硅磨料，抛光后表面无划伤，良品率高
� 出色的Si面抛光速率，是一般氧化硅抛光液的3倍以三�/span>

� 采用较软的氧化硅作为磨料
� 表面质量较好
� pH值为10左右，对设备腐蚀较小

COPOL-233

COPOL-235

COPOL-236

� 具有良好的去除率表现
� 抛光后表面无划伤，良品率髗�br style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px;"/>� 可循环使用，产品使用寿命镾�/span>

� 采用150nm级氧化铝磨料，酸性氧化铝抛光涱�br style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px;"/>� 具有较高的抛光速率
� 抛光后表面无划伤，良品率髗�br style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px;"/>� 产品对抛光垫的腐蚀损耗较導�/span>

� 采用150nm级氧化铝磨料，碱性氧化铝抛光涱�br style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px;"/>� 抛光后表面无划伤，良品率髗�br style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px;"/>� 抛光速率高且稳定，循环使用寿命长
� 产品对抛光垫的腐蚀损耗较導�/span>

COPOL-431

COPOL-432

更多产品请联系我�?/span>

� 具有较高的抛光速率
� 抛光后粗糙度较低，Si� Ra�?.08nm
� 抛光后表面无划伤，良品率髗�br style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px;"/>� 建议使用前pH调至2

� 具有较高的抛光速率
� 抛光后粗糙度较低，Si� Ra�?.08nm
� 抛光后表面无划伤，良品率髗�br style="box-sizing: border-box; animation-fill-mode: both; padding: 0px; margin: 0px;"/>� 建议使用前pH调至2