近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离�

随着电子技术的迅猛发展，集成电路的散热性问题逐渐得到重视。高纯AlN单晶的热导率最高可达到319W/(m·K)。其具有高热导率、高温绝缘性和优良介电性能、良好耐腐蚀性、与半导体Si相匹配的膨胀性能等优点。因此成为优良的电子封装散热材料，能高效地散除大型集成电路的热量，是组装大型集成电路所必需的高性能陶瓷基片材料�

为促进氮化铝陶瓷基板产业技术的发展，中国粉体网旗下粉体公开课平台将�?021�?�?日举办首届�?021氮化铝陶瓷粉体及基板技术网络研讨会”。为企业管理、技术人员提供一个深度交流、深入思考、磨炼内功、强化自身的平台、�/p>2021�?1�?6�?nbsp;更新

氮化铝陶瓷的成型技�?/p>2021�?1�?5�?nbsp;更新

1�?日，哈尔滨工业大学与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，首次通过纳米力学方法，展示了微晶金刚石阵列均匀的深弹性应变。该研究突出了深弹性应变工程在光子学、电子学和量子信息技术中的巨大应用潜力、�/p>2021�?1�?7�?nbsp;更新

随着半导体行业的发展，AlN作为半导体材料中的主要代表，其所展现出的优异的性能使得其受到极大的重视。由于AlN在自然与科技方面有着许多潜在的优良性能，AlN薄膜也因此备受现代科研工作者的青睐�

1�?日，哈尔滨工业大学与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，首次通过纳米力学方法，展示了微晶金刚石阵列均匀的深弹性应变。该研究突出了深弹性应变工程在光子学、电子学和量子信息技术中的巨大应用潜力、�/p>2021�?1�?4�?nbsp;更新

今年年初，小米公司推出的氮化�?GaN)快速充电器引爆了第三代半导体概念。实际上，除了在消费电子领域备受期待的氮化镓之外，第三代半导体的另一个重要产品碳化硅(SiC)有着更为广阔的应用空间。受益于新能源汽车行业的快速发展，氮化镓产品应用即将迎来大爆发、�/p>2020�?2�?4�?nbsp;更新