硅基器件的性能已经接近极限，边际成本越来越高，而半导体器件产业仍对高功率、高频切换、高温操作、高功率密度等有着越来越多的需求，因此以SiC(碳化�?、GaN(氮化�?等第三代半导体材料为核心的宽禁带功率器件成为了研究热点与新发展方向，并逐步进入应用量产阶段、�/p>2020�?1�?5�?nbsp;更新

上海硅酸盐所在高导热氮化硅陶瓷研究中取得进展

日前，据日本媒体报道，日本经济产业省（METI）计划为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持。报道指出，METI将为明年留出大约2030万美元的资金去资助相关企业，预计未来5年的资助鬼母将超�?560万美元�

氮化硅陶瓷作为一种高温结构陶瓷，具有强度高、抗热震稳定性好、高温蠕变小、耐磨、优良的抗氧化性和化学稳定性高等特点，是优良的工程陶瓷之一。虽然氮化硅具有良好的性能，但是它也具有陶瓷的共性——脆性。脆性这一致命弱点，使其在应用中的可靠性得不到保障。因此改善其韧性，提高其可靠性一直是氮化硅陶瓷研究的一个重要方向、�/p>2020�?9�?9�?nbsp;更新

湖南顶立科技有限公司创办�?006年，是一家专业从事新材料及高端特种热工装备研发、生产的民营高科技军工企业、�/p>2020�?9�?6�?nbsp;更新