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4英寸导电型SiC衬底

4HSiC

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硅来半导体(武汉)有限公号/p>

武汉

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型号9/div>

4HSiC

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128

产品介绍

产品参数


参数名称 P?/span> R?/span> D?/span>
晶型 4H
晶向 ?lt;11-20> 偏转4º± 0.5º
主参考面长度 32.5±2.0mm
次参考面长度 18.0±2.0mm
电阻玆/strong> 0.015~0.025ohm·cm
直径 100 ± 0.25 mm
厚度 350±25μm(可定制(/span>
LTV 2μm 5μm ?μm
TTV 3μm 5μm 10μm
Bow -15 μm - 15 μm -25 μm - 25 μm -45 μm - 45 μm
Warp 20μm 35μm 55μm
微管 0.2ea/cm2 0.5ea/cm2 1ea/cm2
TSD 500ea/cm2 1000ea/cm2 __
BPD 1500ea/cm2 3000ea/cm2 __
崩边/裂纹/六方空洞 旟/span>
多晶面积 旟/span> __
表面粗糙?/strong> Ra?.2nm(正面) Ra?nm(背面)
边缘处理 倒角
划伤 累计长度小于半径 累计长度小于直径 __
颗粒?/strong> ?0 (size 0.3μm) __
标记 激光编?/span>
包装 单片/多片包装


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