粉体行业在线展览

产品

产品>

无机材料>

碳化硅粉

>6英寸导电型SiC衬底

6英寸导电型SiC衬底

4H-6-SiC

直接联系

硅来半导体(武汉)有限公号/p>

武汉

产品规格型号
参考报价:

面议

型号9/div>

4H-6-SiC

关注度:

158

产品介绍


参数名称 P?/span> R?/span> D?/span>
晶型 4H
晶向 ?lt;11-20>偏转4 º± 0.5º
主参考面长度 47.5±1.5mm
电阻玆/strong> 0.015~0.025ohm·cm 0.011~0.028ohm·cm
直径 150 ± 0.25 mm
厚度 350±25μm(可定制(/span>
LTV 2μm 5 μm ?0 μm
TTV 3μm 8 μm 15 μm
Bow -15 μm - 15 μm -25 μm - 25 μm -45μm - 45μm
Warp 20μm 35μm 55μm
微管 0.2ea/cm2 0.5ea/cm2 1ea/cm2
TSD 300ea/cm2 500ea/cm2 3000ea/cm2
BPD 800ea/cm2 1500ea/cm2 5000ea/cm2
TED 3000ea/cm2 6000ea/cm2 __
崩边/裂纹/六方空洞 旟span style="text-size-adjust: 100%;"> __
多晶面积 旟/span> ?%总面?/span>
表面粗糙?/strong> Ra?.2nm(正面) Ra?nm(背面)
边缘处理 倒角
划伤 累计长度小于半径 累计长度小于直径 __
标记 激光编?/span>
包装 单片/多片包装





硅来半导体(武汉)有限公司依托华中科技大学专业的激光切割技术,不断创新突破。凭借持续的技术积累以及专业的技术团队,能够为客户提供低成本、高性能的晶圆切割整体解决方案,全方位助力客户提升市场竞争力、/span>

硅来半导体始终以 “自强不息 为精神内核,在碳化硅半导体产业攻坚期坚守技术初 — 面对衬底制备、器件封装等 “卡脖子 难题,团队以昼夜迭代的坚韧突破性能瓶颈;面对行业技术迭代的挑战,始终以主动研发的姿态升级核心能力,从不因阶段性量产成果停下创新脚步、/span>

产品咨询

6英寸导电型SiC衬底

4H-6-SiC

请填写您的姓名:*

请填写您的电话:*

请填写您的邮箱:*

请填写您的单?公司名称?

请提出您的问题:*

您需要的服务9/p>

发?/a>

中国粉体网保护您的隐私权:请参阅我们的保密政筕/a> 来了解您数据的处理以及您这方面享有的权利 您继续访问我们的网站,表明您接受我们的使用条欽/a>

硅来半导体(武汉)有限公号/span> 的其他产?/div>