粉体行业在线展览
粉体行业在线展览
导电?H-SiC衬底晶片
直接联系
深圳市重投天科半导体有限公司
深圳
面议
导电?H-SiC衬底晶片
315
导电?H-SiC衬底晶片
晶片尺寸?~6英寸
晶片厚度?50 μm ± 15 μm
电阻率：0.015~0.024 Ω·cm
产品用途：产品主要于制造SiC电力电子
器件及SiC衬底上GaN光电子器件、/p>
产品咨询
导电?H-SiC衬底晶片
请填写您的姓名：*
请填写您的电话：*
请填写您的邮箱：*
请填写您的单?公司名称?
请提出您的问题：*
您需要的服务９/p>
中国粉体网保护您的隐私权：请参阅我们的保密政筕/a> 来了解您数据的处理以及您这方面享有的权利 您继续访问我们的网站，表明您接受我们的使用条欽/a>
