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产品介绍

眉山天乐半导?英寸SiC衬底片产品标凅br style="box-sizing: border-box;"/>4-inch SiC Substrate Specification
序号
Item
等级
Grade
精选级(Z级)
Zero MPD Grade
工业级(P级)
Production Grade
测试级(D级)
Dummy Grade
1.晶体参数 Boule Parameters
1.1 晶型 Polytype 4H-N
1.2 表面晶向偏离 Surface orientation error Off axis?.0°toward <11-20>±0.5°,On axis:<0001>±0.5°
2.电学参数 Electrical Parameters
2.1 掺杂 Dopant Nitrogen
2.2 电阻 Resistivity 0.015-0.028Ω·cm
3.机械参数 Mechanical Parameters
3.1 直径 Diameter 99.5mm-100.0mm
3.2 厚度 Thickness 350μm±15μm 350μm±25μm
500μm±15μm 500μm±25μm
3.3 主定位边方向 Primary Flat Orientation
{10-10}±5°
3.4 主定位边长度 Primary Flat Length 32.5mm±2.0mm
3.5 局部平整度 LTV ?.5μm ?.5μm ?μm
3.6 总厚度变 TTV ?μm ?μm ?5μm
3.7 弯曲?* BOW ?5μm ?5μm ?0μm
3.8 翘区 Warp ?5μm ?5μm ?0μm
3.9 正面(硅面)粗糙?AFM)Front (Si-face) Roughness Ra?nm
4.结构 Structure
4.1 微管密度 Micropipe density ?.1cm-2 ?.2cm-2 ?5cm-2
4.3 螺位 TSD ?00cm-2 ?00cm-2 ?000cm-2
4.4 基平面位 BPD ?00cm-2 ?00cm-2 /
4.5 刃位 TED ?000cm-2 ?000cm-2 /
5.正面质量 Front Quality
5.1 表面处理 Surface finish CMP
5.2 颗粒 Particle


5.3 划痕 Scratches None
5.4 缺口/崩边/裂纹/疵点/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contamination None
5.5 多晶 Polytype areas None None Cumulative area ?%
5.6 正面激光标 Front marking
/
6.背面质量 Back Quality
6.1 背面处理 Back finish
CMP
6.2 背面划痕 Scaratches None None Cumulative length ?x wafer diameter
6.3 背面缺口/崩边 Back defects edge chip/indents None
6.4 背面粗糙 Back roughness Ra?.2 mm Ra?.2 mm Ra?.5 mm
6.5 背面激光标 Back marking
距离边缘1mm ( from top edge)
7.边缘轮廓 Edge
7.1 边缘轮廓 Edge exclusion 3 mm
8.包装 Packaging
8.1 激光标 Laser Marking(carbon side) Carbon face
8.2 包装 Packaging 单片?5片包裄/td>
Notes: None means no request.


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