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半绝缘型4H-SiC衬底牆/p>
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深圳市重投天科半导体有限公司
深圳
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半绝缘型4H-SiC衬底牆/p>
247
衬底尺寸?~6英寸
晶片厚度?00 μm ± 15 μm
电阻率：?E10 Ω·cm
用途：主要用于外延GaN高功率射频器件，应用于微波射频领域、/p>
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