产品概述

导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户对小尺寸产品的多样化需求，我们依旧保留部分4英寸及以下小尺寸产品的产能，确保供应无忧、�/p>

车规级（Z级）

研发型（D级）

直径		99.5 mm-100.0 mm
晶型		4H
厚度		350 μm±15 μm
晶片方向		偏转角度：向<11-20>偏转 4.0° ± 0.5°
微管密度		� 0.2 cm-2
电阻玆�/td>		0.015-0.024 Ω·cm
主定位边方向		平行于{10-10} ±5.0°
主定位边长度		32.5 mm ± 2.0 mm
次定位边长度		18.0 mm ± 2.0 mm
次定位边方向		硅面朝上：从主定位边顺时针旋� 90° ± 5.0°
边缘去除		3 mm
局部厚度变�?总厚度变�?弯曲�?翘曲�?/td>		�?.5 μm/�? μm/�?5 μm/�?0 μm