近红外传感器?.85?.45m（/span>
G14237-512WA是一款InGaAs线性图像传感器，为1064 nm激光拉曼光谱测量而设计 专门用于测量拉曼光谱范围，截止波长相比之前的产品（G11508-512SA）已有所降低，从而降低了暗电流 该产品由InGaAs光电二极管阵列和由电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和定时发生器组成的CMOS芯片组成 电荷放大器由CMOS晶体管阵列组成，并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。封装采用气密密封，使产品具有出色的可靠性 此外，通过使用外部电压可将CMOS芯片上的信号处理电路设为四种转换效率（CE）设置之一、/span>
产品特征
-低噪音，极低的暗电流 [为之前产品的1/10或更少（截止波长?.7m）]
- 有四种转换效率类型可供选择
- 内置饱和对抗电路
- 内置CDS电路
- 内置热敏电阻
- 操作简便（内置定时发生器）
- 高分辨率?5m间距
详细参数
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.5 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 250 m |
| 像素间距 | 50 m |
| 总像素个?/td> | 512 pixels |
| 封装 | Metal |
| 线性率 (**? | 9150 lines/s |
| 冷却方式 | Two-stage TE-cooled |
| 光谱响应范围 | 850 to 1450 nm |
| 测试条件 | unless otherwise noted Typ. Ta=25 ℃，Vdd=5 V，INP=Vinp=PDN=4 V，Fref=1.2V，Vclk=5V，f=1 MHz CE=16 nV/e- |
