红外-光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析系统?#956;AMOS”是一款半导体失效分析仪，使用IR-OBIRCH方式来定位漏电流路径和LSI器件中的异常阻抗接触部件。在特定频率下，使用lock-in单元来探测OBIRCH信号可大大提高信噪比。而且，通过使用大电流探针头，也可以对大电流高电压工作的器件进行分析、/span>
特?/strong>
图像空间分辨率高
背面观测?#955;=1.3 m（/p>
可观测高掺杂基底（Epi-sub（/p>
使用红外激光（=1.3 m）意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号，因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜（选配（/p>
应用
漏电流路径定佌/p>
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测（空，硅节（/p>
触控（过孔）异常阻抗部件探测
金属化过程监?/p>
*:IDDQ (Quiescent power supply current，静态供电电?：IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流、/p>
参数
| 产品名称 | uAMOS-1000 |
|---|---|
| 尺寸/重量 | 主单元：1360 mm(W)1410 mm(D)2120 mm(H) Approx. 900 kg 控制台：880 mm (W)700 mm (D)1542 mm (H) Approx. 255 kg 选配桌：1000 mm (W)800 mm (D)700 mm (H) Approx. 45 kg |
| 线电厊/td> | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
| 功耖/td> | 3000W |
| 真空?/td> | ?0 kPa或更?/td> |
| 压缩空气 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
可用器件
| 晶片* | 前面 | 切块后的芯片?00mm晶片 |
| 背面 | 200/300 mm晶片（其他尺寸晶片可通过增加选配来处理） |
*：与选用探针的规格有兲/p>
| 封装后IC | 前面 | 芯片打开到表靡span>的IC |
| 背面 | 镜面抛光到硅基底的IC |
红外共焦激光显微镜
| 扫描速度（秒/图） | ||||
| 512512 | 1 | 2 | 4 | 8 |
| 10241024 | 2 | 4 | 8 | 16 |
激先sup>*
| 1.3 m激光二极管 | 输出: 100 mW |
| 1.3 m高功率激光器（选配（/td> | 输出: 超过400 mW |
| 1.1 m脉冲激光器（选配（/td> | 输出: 200 mW (CW) 800 mW (pulse) |
* For 1.3 m laser one of two laser can be integrated.
光平台移动范図sup>*
| X | 20 mm |
| Y | 20 mm |
| Z | 75 mm |
*：由于探针或者样品平台的阻碍，该值肯会更導/p>
透镜放大
一个转台可选透镜数达5个、/p>
| 透镜 | 数值孔徃/td> | WD (mm) | 视场 | AMOS-1000 |
| 1: A7649-01 | 0.03 | 20 | 1313 | 标配 |
| 2: A8009 | 0.055 | 34 | 6.56.5 | 选配 |
| M-PLAN-NIR-5: A11315-01 | 0.14 | 37.5 | 2.62.6 | 标配 |
| M-PLAN-NIR-20: A11315-03 | 0.40 | 20 | 0.650.65 | 标配 |
| M-PLAN-NIR-50: A11315-04 | 0.42 | 17 | 0.260.26 | 选配 |
| NIR 50: A8756-012 | 0.42 | 18.3 | 0.260.26 | 选配 |
| High NA50: A801812 | 0.76 | 12 | 0.260.26 | 选配 |
| M-PLAN-NIR-100: A11315-05 | 0.50 | 12 | 0.130.13 | 标配 |
| NIR 100: A8756-022 | 0.50 | 13.3 | 0.130.13 | 选配 |
| M-PLAN-NIR-100HR: A11315-061 | 0.70 | 10 | 0.130.13 | 选配 |
| G-PLAN-APO-NIR-100HR: A11315-0812 | 0.70 | 6 | 0.130.13 | 选配 |
1：用1来标记的镜头有两种可逈/p>
2：用2来标记的镜头带玻璃厚度补偿功胼/p>
获取OBIRCH图像
| 电压固定垊/td> | 电流固定垊/td> | 微电流放大器 | |
| 施加电压 | 10 mV to 10 V | 10 mV to 10 V | 10 mV to 25 V |
| **电流 | 100 mA | 100 mA | 100 A |
| 探测玆/td> | 1 nA1 | 1 V2 | 3 pA1 |
1：为输入放大器的**可探测脉冲信叶/p>
2：计算倻/p>
外形图（单位：mm（/strong>
