倒置微光显微镜iPHEMOS系列
该仪器设计紧凑，高度仅为80cm，因此可与多种测试机方便地对接。其配备的高灵敏度InGaAs相机以及多种激光选配件扩大了其动态分析的范围、/span>
特?/strong>
高精度级的多相机平台
灵活的系统设讠/p>
多种探测器，可观测低压工作IC
倍率??00，多种镜头可选（可选配10镜头转台（/p>
背面观测探针可测量从整个300mm晶片到单个die的范図/p>
简化了测试机头对接，便于动态分枏/p>
用户友好型操作系绞/p>
易于升级，有利于后期应用
高分辨率模板图像
选配
高分辨率、高灵敏度观测用纳米透镜
使用纳米透镜可增加数值孔径，显著提高分辨率和光采集效率。这样可以减少探测时间，却可以提供更好的分辨率、/p>
红外-光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析功胼/p>
极受欢迎的红?光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析功能可作为选配增加到仪器中，来探测漏电流或静态电流缺陷（leakage or IDDQ defects）等的线缺陷
使用数字lock-in组件，可提高IR-OBIRCH分析的探测功胼/p>
软件提供的数字lock-in功能即使是很短的图像采集时间，也可以保证获得比模拟lock-in更清晰和锐利的图像、/p>
激光辐射的动态分析功胼/p>
使用激光束照射，来观测器件工作中的状态变化（通过或者失败），以分析功能缺陷
序列测量软件
通过使用者执行一套流程，该功能可自动进行微光/IR-OBIRCH观测。连接半自动探针后，微光/IR-OBIRCH图像可按照序列测量并保存。连接大规模集成电路测试机或者外部电源也可以进行测量、/p>
EO探针单元C12323-01
EO探针单元是一款工具，通过使用非连续光源，透过硅基底来观察晶体管状态、/p>
配置
参数
| 产品名称 | iPHEMOS-SD |
|---|---|
| 尺寸/重量*1 | 主单元：805 mm (W)915 mm (D)1180 (775*2) mm (H) Approx. 500 kg*2 控制台：880 mm (W)1000 mm (D)1775 mm (H) Approx. 200 kg |
*1：重量因配置不同而改变、/p>
*2：高度等于iPHEMOS-SD上样品边缘的高度、/p>
