设备型号 ：JCP500
真空腔室结构 ：立式前开门结� 后置抽气系统
真空腔室尺寸 ：�?00mm×H420mm
加热温度 ：室温～ 500ℂ�/span>
基片台尺� ：�?50mm
膜厚不均匀� ：�?00mm 范围内≤ ±5.0%
溅射靶： Φ3 英寸磁控� 3 � 兼容 DC/MF/RF 溅射
工艺气体 �?-3 路气体流量控刵�/span>
控制方式 ：PLC/PC（可选）
占地面积 （主机） � L1900mm×W800mm×H1900mm
总功� ：≥ 10kW

大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制夆�/span>

1. 可提供工艺技术支持，及良好售后服务；

2. 设备结构紧凑，占地面积小，性价比高，性能稳定，使用维护成本低：�/span>

3. 单靶溅射 / 多靶依次溅射或共同溅射，兼容 DC/MF/RF 溅射等功� 、�/span>

4. 可制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀摸、透明导电膜，如钙钛矿空穴传输层、金属电极以及透明导电层ITO膜层的制备等”；