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等离子增强化学气相沉积实验系绞/div>
报价9span>面议
品牌9/td> 研博智创
产地9/td> 河北
关注度: 227
型号9/td> 等离子增强化学气相沉积实验系绞/td>
产品介绍

等离子增强化学气相沉积实验系 极限真空:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后) 频率?nbsp;13.56MHz 控制方式:手动逻辑控制 气路系统?路进气及不锈钢管路、截止阀等; 设备主要用途: 该系列设备应用等离子体化学气相沉积技术,主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电及金属膜。等离子增强化学气相沉积可以较大幅度地降低沉积反应的温度,使其在热稳定性差的基底表面上进行沉积成为可能。反应温度的降低还可以有效抑制器件制作过程中的层间扩散。沉积温度的降低,还可以降低热应力失配 设备的主要技术参?

问商宵/div>
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研博智创任丘科技有限公司为您提供研博智创等离子增强化学气相沉积实验系统,等离子增强化学气相沉积实验系统产地为河北,属于半导体行业专用仪器,除了等离子增强化学气相沉积实验系统的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供磁控溅射镀膜设备、高真空退火炉 VTHK550、真空电弧炉 VDK250
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研博智创任丘科技有限公司

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91130982MA0CU05T08

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