随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。当前，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。
近年来，我国在SiC材料领域取得了显著进展，但与国际先进水平相比，在晶体生长技术、晶圆加工技术等方面仍存在一定差距。SiC晶体生长过程中面临着晶体缺陷控制、生长速率提升、晶体质量稳定性等难题；晶圆加工方面，则存在加工精度不足、良品率低、加工成本较高等挑战。在当前倡导节能减排的大趋势下，快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题，才能够更好地占据未来碳化硅市场。
在此背景下，www.188betkr.com 将于2025年8月21日在江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。合肥露笑半导体材料有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
合肥露笑半导体材料有限公司成立于2020年，坐落于大湖名城——安徽合肥。公司目前注册资金5.75亿元，是一家专注第三代功率半导体材料碳化硅晶体生长、衬底片、外延片研发、生产和销售的高科技企业。
渊源于露笑科技蓝宝石深厚的技术积淀、引进国内最早和最鼎尖的从事碳化硅晶体生长研究的陈之战博士技术团队，公司突破了高质量碳化硅晶体生长、高几何精度及近零损伤表面加工关键技术，掌握了制造碳化硅长晶炉的核心技术、衬底加工和清洗的系统解决方案，产品参数达到了P级标准，已通过外延厂家批量验证。
公司将全力布局碳化硅产业，积极进行自主知识产权申请和保护，加强关键技术研发和应用，致力于打造“晶体生长——衬底——外延”一体化产业链，打破国外长期行业技术封锁和垄断，为我国解决“卡脖子”技术工程贡献力量，以推动我国第三代功率半导体产业发展。
产品介绍
1、SiC衬底片
新建碳化硅衬底片产业化项目对于满足国内外快速增长的6英寸、8英寸级别的碳化硅衬底片市场需求，促进衬底片质量与成品率水平的提升将发挥较为重要作用。
2、SiC晶体
碳化硅作为C和Si稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个Si(或C)原子与周边包围的C(Si)原子通过定向的强四面体sp3键结合，虽然SiC的四面体键很强，但层错形成能量却很低，这一特点决定了SiC的多型体现象，已经发现SiC具有250多种多型体，每种多型体的C/Si双原子层的堆垛次序不同。最常见的多型体为立方密排的3C-SiC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型体具有不同的电学性能与光学性能。SiC的禁带宽度为Si的2-3倍，热导率约为Si的4.4倍，临界击穿电场约为Si的8倍，电子的饱和漂移速度为Si的2倍。SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可应用于大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外，采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。
3、PVT晶体生长炉
晶体生长：通常采用物理气相传输法（PVT法）生长碳化硅晶体。
感应将坩埚加热至2,000℃以上，控制籽晶处温度略低于下部微粉处，在坩埚内形成轴向温度梯度。碳化硅微粉在高温下升华形成气相的Si2C、SiC2、Si等物质，在温度梯度驱动下到达温度较低的籽晶处，并在其上结晶形成圆柱状碳化硅晶锭。
会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
邮箱：duanwanwan@cnpowder.com
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