随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。当前，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。
近年来，我国在SiC材料领域取得了显著进展，但与国际先进水平相比，在晶体生长技术、晶圆加工技术等方面仍存在一定差距。SiC晶体生长过程中面临着晶体缺陷控制、生长速率提升、晶体质量稳定性等难题；晶圆加工方面，则存在加工精度不足、良品率低、加工成本较高等挑战。在当前倡导节能减排的大趋势下，快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题，才能够更好地占据未来碳化硅市场。
在此背景下，www.188betkr.com 将于2025年8月21日在江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。山西天成半导体材料有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
山西天成半导体材料有限公司成立于2021年8月，由多位碳化硅(SiC)领域博士及具有头部生产企业任职经历的业内一线人员发起，是一家专注于第三代半导体碳化硅(SiC)衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。2023年，荣获“第三代半导体年度新锐企业”。
公司现已形成了碳化硅(SiC)单晶炉制造、碳化硅(SiC)粉料制备、碳化硅(SiC)单晶生长和村底制备等完整的生产线，公司产品以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅(SiC)衬底为主，产品质量数据达到国内领先水平，并可批量生产。
公司具备成熟科研团队、稳定量产工艺、迭代技术储备，立足于自主研发，坚持产业创新，突破了缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线。公司秉承'创新·高效·坚韧·务实”的企业精神，向“助力中国半导体产业健康持续发展”的企业愿景不断迈进。
产品介绍
1、键合机
2、电阻炉
3、8英寸N型碳化硅晶锭
产品详情
以高纯度碳化硅粉料为原料，使用自主研制的晶体生长炉，采用物理气相传输法 (PVT 法) 成功生长出8英寸碳化硅晶锭
4、导电型衬底
产品详情
6英寸N型导电型碳化硅衬底主要应用于新能源汽车、高压输变电站、白色家电、高速列车、电机、光伏逆变、脉冲电源等领域，具有降低设备能量损耗、提升设备可靠性、缩小设备体积、提升设备性能等优势，在制作电力电子器件方面有着不可替代的优势。
主要应用于电力电子器件新能源汽车-高速充电、降低能耗、缩小空间
高压输变电站-高压电能转换，降低能耗
白色家电-提升可靠性，高效能
高速列车-高压电能转换，高效能源利用
电机-节能减耗，高效能源利用
光伏逆变-降低能源损耗，提升可靠性
脉冲电源-战略设施，确保国防安全
会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
邮箱：duanwanwan@cnpowder.com
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