上海提牛科技与您相约安徽合肥?026第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会


来源9/span>中国粉体 粉享 粉享汆/span>

[导读]2026第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会??8日相约安徽·合?/div>

当前,碳化硅(SiC)作为第三代半导体核心材料,在新能源汽车、光伏储能?G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透,已成为全球半导体产业的前沿制高点。我 “十四五 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,但与国际先进水平相比,在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距,亟需通过产学研协同破解难题?#8203;

为加快推动我 SiC 产业技术突破与成果转化,中国粉体网定于 2026 5 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”,汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇、/strong>

在此背景下,先进半导体晶体材料将亍span style="color: rgb(255, 0, 0);">2026??8?/span>?span style="color: rgb(255, 0, 0);">安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会,大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。上海提牛科技股份有限公司作为参展单位邀请您共同出席、/strong>



上海提牛科技股份有限公司成立?004?0月,坐落在中国上海市奉贤区,致力于半导体湿制程领域设备和中央供液系统(CDS)的研发、生产、销售和服务、/strong>


公司被认定为国家级专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业,上海市创新型中小企业、上海市"专精特新"中小企业和上海市科技小巨人企业。主要从事半导体湿制程领域设?6-12?妁集成电路、大硅片材料、碳化硅等制程中的湿法刻蚀清洗设备。高端湿法刻蚀清洗设备?006年开启新篇章,提供给客户从设计、制造、组装、调试、测试、售后一体化服务、/strong>


?010年以来,实施SEMIS2标准,以满足客户高品质需汁先后导入了ERP管理系统和IS09001?S014001、IS045001管理体系为生产管理保驾护航、/strong>


产品介绍


1?span style="text-wrap: nowrap;">槽式湿法刻蚀清洗设备



以纯水、酸性药液或有机试剂作为清洗剂,采用喷淋、热浸等清洗方式,对晶圆进行批量清洗;设备运用了公司自主设计的AWB框架,占地面积与行业内相同机台相比小20%左右,同时可有效防止机台因焊接老化而漏水漏酸;可根据客户要求定制化设计,搭配使用无片架清洗技术、高产能排程技术、IPA干燥技术、芯片减薄后清洗与干燥技术,清洗效果好、效率高。公司此类设备成熟稳定,设备破片率小于万分之一、/p>


用于晶圆制造中薄膜沉积前后、干法刻蚀前、离子注入后、研磨前后、退火前后、抛光前后清洗以及化学湿法刻蚀清洗等、/p>


2?span style="text-wrap: nowrap;">部件清洗设备




采用纯水、酸性等药液,对生产中所用陶瓷盘、炉管、离子注入机部件、CVD部件、PVC部件等其他零部件进行清洗,能够根据不同尺寸的零部件设计不同的清洗模式,高效去除部件上的沾污,清洗效果好,清洗效率高、/p>


用于晶圆制造及光伏、LED等领域制造过程中使用的零部件的清洗、/p>


3?span style="text-wrap: nowrap;">化学品供液设备(CDS(/span>




以软件程序控制为核心,可与生产设备信息互通,根据客户所需比例自动化精准配比与混合供酸,将集中储存的液体以稳定的流量、流速和达到设定要求的压力,实现液体供应至工艺设备,且不会造成液体泄露,在供应输送过程中不会对设备产生二次污染、/p>


可应用于半导体、LED、光伏、显示屏等领域、/p>



会议主题9/strong>


1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望

2、大尺寸? 英寸及以上)SiC 晶体生长技术难点及突破路径

3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制(杂质去除)及制备工艺

4、碳化硅晶体生长装备(长晶炉)关键部件(保温层、加热系统)应用进展

5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材(磨料、抛光液)技术创?#8203;

6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能

7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术(机械切割、等离子切割)对?#8203;

8、激光技术(3D 激光隐切、飞秒激光)在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控刵/strong>

9、高平整 SiC 衬底化学机械抛光(CMP)技术研究与良率提升

10? 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺(温度、压力控制)与关键装备选型

11、碳化硅衬底及外延层缺陷(微管、位错)检测技术与自动化设备应?#8203;

12、碳化硅晶片清洗工艺(超声清洗、化学清洗)与表面洁净度控?#8203;

13、SiC 晶体加工关键设备(抛光机、检测设备)国产化进程与性能对标

14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析

15、立 SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控

16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试(AEC-Q102 认证)适配技?#8203;

17、SiC 晶体生长 “黑匣子 状态实时监测(温度、压力传感器)系统开?#8203;

18、碳化硅全产业链供应链(材料 - 设备 - 加工 - 应用)协同整合模弎/strong>


报名送产业研究报告(限前50名)



会务练/strong>

联系人:段经琅/strong>

电话?3810445572

邮箱:duanwanwan@cnpowder.com




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