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碳化硅衬底的信息介绍
碳化硅（SiC）衬底是第三代半导体材料的核心基础。目前市场上主流的碳化硅衬底尺寸??英寸。广泛应用于新能源、光伏?G通信、人工智能、物联网等领域。具有高禁带宽度（≤ 3.2eV）、高热导率（4.9W/cm・K）、高击穿电场强（2~4 MV/cm）、高电子饱和漂移速度的特性、/span>
碳化硅衬底的特点优势
高禁带宽?/span> |
高热导率 |
高击穿电场强 |
高电子饱和漂移速度 |
禁带宽度达≤ 3.2eV，在高温、高功率应用中优势明显。可提高能源转换效率、降低损耗、/span> |
热导率为 4.9W/cm・K，散热性能优异，能降低芯片温度、减少热失效风险、延长设备寿命、/span> |
高击穿电场强度约?nbsp;2~4 MV/cm，耐高压能力是硅的10倍，可减少设备体积重量、降低导通电阻、提高稳定性和可靠性、/span> |
适合高频应用，可减少信号传输延迟、提高速度和质量，与传统硅基射频器件相比，具有更低噪声系数和更高功率附加效率、/span> |
碳化硅衬底的制备工艺
粉料合成 晶体生长 （PVT法） 晶锭加工 晶圆切片 晶圆加工 碳化硅衬应/span>
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