碳化硅籽晶衬底的信息介绍

碳化硅籽晶衬底是制备碳化硅单晶的关键材料，用于PVT法生长单晶的模板，未抛光，可复用。具有高硬度（莫氏硬度约9.5）、高熔点（约2700℃）、宽带隙�?.3-3.3 eV），在高温、强�?强碱环境下化学性质稳定等特性、�/span>

碳化硅籽晶衬底的特点优势

原子级平整表靡�/span> （Ra�?.5nm（�/span>	晶型高度可控 �?H/6H-SiC为主（�/span>	大尺寸化 �?/8英寸（�/span>
减少外延生长缺陷，提升器件良率、�/span>	单一晶型（如4H-SiC）确保电子迁移率**，降低导通损耗、�/span>	6/8英寸量产，单位面积芯片成本降�?0%以上、�/span>

碳化硅籽晶衬底的工艺应用

在单晶生长过程中，籽晶是实现高质量晶体生长的关键因素。引导气相中� Si � C 原子按照预设方向逐层堆积，确保晶体沿单一晶向生长，从而控制晶体缺陷的产生。在物理气相传输（PVT）法生长碳化硅单晶时，将籽晶置于高温石墨坩埚顶部，底部的碳化硅粉料升华后，气态原子在温度梯度作用下向籽晶表面移动，在籽晶的引导下有序结晶，逐渐生长出碳化硅单晶，这一过程中碳化硅籽晶衬底的质量，决定�?终晶体的质量与性能、�/span>

碳化硅籽晶衬底的相关展示

碳化硅籽晶衬底的技术参�?/span>

8英寸N型碳化硅籽晶衬底-产品规格
属�?/td>			规格			单位
			A	B	C
直径			200±0.5			mm
厚度			500(-50,100)			μm
弯曲�?/td>			�?0	�?0	�?0	μm
总厚度偏�?/td>			�?	�?2	�?5	μm
位错密度-TSD			�?50	�?50	无要汁�/td>	/cm2
位错密度-TED			�?500	�?500	无要汁�/td>	/cm2
电阻玆�/td>			0.010-0.030			Ω .cm
表面粗糙�?C)			<0.2			nm
微管密度			�?.15	�?.2	�?.5	/cm2
高强度光检测六边形			旟�/td>
高强度光照多型�?/td>			旟�/td>
高强度光多晶区域			旟�/td>
荧光灯检测的边缘缺口			旟�/td>

6英寸N型碳化硅籽晶衬底-产品规格
属�?/td>			规格			单位
			A	B	C
直径			152.2+0.25/153±0.25			mm
厚度			500(-50,100)			μm
弯曲�?/td>			�?5	�?5	�?0	μm
总厚度偏�?/td>			�?	�?	�?	μm
位错密度-TSD			�?50	�?50	无要汁�/td>	/cm2
位错密度-TED			�?500	�?500	无要汁�/td>	/cm2
电阻玆�/td>			0.010-0.030			Ω .cm
表面粗糙�?C)			<0.2			nm
微管密度			�?.15	�?.2	�?.5	/cm2
高强度光检测六边形			旟�/td>
高强度光照多型�?/td>			旟�/td>
高强度光多晶区域			旟�/td>
荧光灯检测的边缘缺口			旟�/td>
高强度光检测的裂缝			旟�/span>