绍兴晶彩科技与您相约安徽合肥�?026第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会

当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能�?G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我� “十四五� 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题�?#8203;

为加快推动我� SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 � 5 � 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导� SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇、�/strong>

在此背景下，先进半导体晶体材料将亍�span style="color: rgb(255, 0, 0);">2026�?�?8�?/span>�?span style="color: rgb(255, 0, 0);">安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。绍兴晶彩科技有限公司作为参展单位邀请您共同出席、�/strong>

绍兴晶彩科技有限公司作为国内可以生产粒度从亚微米级到毫米范围半导体级碳化硅粉料的企业。主营第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体、高纯石墨粉、高纯石墨件、高纯石墨毡;半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件专用超高纯粉佒�5G领域专用的热管理材料导热填料、�/strong>

公司与国内一流高校联合技术攻关，建立了高纯粉末材料研发及检测中心、超高纯碳化硅粉料生产基地。技术研发团队从事人工晶体生长及硅基材料新技术研发近20年，自主研发并攻克原位合成高纯碳化硅多晶粉体技术，获国家发明专�?0余项、�/strong>

公司致力于成为第三代半导体碳化硅单晶高纯原辅材料研发与生产的高科技型企业，目前已有一大批具有超高纯度�?N及以上）、粒径尺寸及均一性、晶型一致性的优质产品投入批量生产、�/strong>

产品介绍

1、高纯碳化硅多晶粉JCEC300N(50目）

本公司生产的此类产品主要针对第三代半导体导电型碳化硅单晶的生长需求，粒径可实现百微米到毫米级精准控制，产品纯度高�?.8N，氮含量根据需求可以选择不同含量区间类型、�/p>

用�?nbsp;第三代半导体导电型SiC单晶生长

颜色绿色

性能�?N

粒径300微米

2、高纯碳化硅陶瓷粉JCCP02U

本公司在高精密陶瓷粉体材料方面主要生�?C晶型百微米级、微米级、亚微米级碳化硅粉体，产品纯度可实现 4N-6N 调控，产品具有纯度高、粒径均一、体积分数高、高结晶度等优点、�/p>

用�?nbsp;广泛用于半导体、光伏、军工等碳化硅陶瓷领域、�/p>

颜色黄色、灰發�/p>

性能纯度�?N，流动性能好，粒度分布集中、�/p>

粒径2微米

3、导热用高纯碳化硅粉

本公司深耕半导体级碳化硅粉体领域，依托原位合成核心技术，批量生产纯度优异、微观呈类球形的高纯碳化硅粉体。可根据客户个性化需求，量身定制专属粉体解决方案，以专业实力为散热难题提供精准答案、�/p>

用�?nbsp;产品兼具490W/(m·K)的单晶级导热性能、超高耐击穿强度与低热膨胀系数，复配兼容性极佳，广泛适配导热胶、导热垫片、散热涂层等多元应用场景、�/p>

颜色浅绿、米發�/p>

性能�?N

粒径50微米�?0微米�?0微米�?50微米�?00微米

会议主题９�/strong>

1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望

2、大尺寸�? 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径

3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺

4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展

5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创�?#8203;

6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能

7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对�?#8203;

8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控刵�/strong>

9、高平整� SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升

10�? 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型

11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应�?#8203;

12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控�?#8203;

13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标

14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析

15、立� SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控

16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技�?#8203;

17、SiC 晶体生长 “黑匣子� 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开�?#8203;

18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模弎�/strong>

报名送产业研究报告（限前50名）

会务练�/strong>

联系人：段经琅�/strong>

电话�?3810445572

邮箱：duanwanwan@cnpowder.com

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