宁波兰辰光电与您相约安徽合肥�?026第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会

当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能�?G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我� “十四五� 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题�?#8203;

为加快推动我� SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 � 5 � 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导� SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇、�/strong>

在此背景下，先进半导体晶体材料将亍�span style="color: rgb(255, 0, 0);">2026�?�?8�?/span>�?span style="color: rgb(255, 0, 0);">安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。宁波兰辰光电有限公司作为参展单位邀请您共同出席、�/strong>

宁波兰辰光电有限公司成立�?016年，是一家专业自动化检测设备提供商。一家专业从事非接触式测量设备研发、设计、加工、生产、安装、调试、销售和服务的全国高新技术企业。产品包括激光测量、机器视觉、数据采集、伺服控制等技术为主的检测设备、�/strong>

公司主导产品市场占有率稳步提升，除在上三角地区占有较高市场份额外，产品还逐步销往珠三角地区。公司核心产品晶圆边缘轮廓仪多项功能属国内首创，可实现同类型产品进口替代，并在综合性能上达到了国际先进水平，公司凭借自身产品精度高、可靠性高、稳定性好以及性价比优势，在半导体晶圆检测行业已有一定的知名度，未来将研发晶圆圆度测量仪、晶圆厚度测量仪等、�/strong>

此外，兰辰光电经过近8年的发展，已成长为全国高新技术企业，已成功研制“激光轮廓测量系统”、“半导体晶圆轮廓测量系统”、�?D线激光检测系统”、“双激光厚度检测系统”、“双激光大面阵厚度在线测量系统”、“自动弹波变位测量系统”、“自动天平测量系统”、“激光F0测试系统”、“机器视觉筛选机”等主导产品，并帮助用户实现同类型产品进口替代，广受用户企业好评。公司先后荣获“全国高新技术企业”、“全国科技型中小企业”、“宁波海曙区非标测量设备工程技术中心”等荣誉称号。公司参与科技部高技术中心“科技助力经济2020”重点专�?高分辨荧光显微成像仪自动扫描分析系统开发并获奖，主持“宁波市智团创业项目�?大面阵玻璃厚度分布在线测量系统，并入选宁波高新区“高新精英软件人才引进计划”创业团队项目、�/strong>

产品介绍

1、LC-JY边缘轮廓�?/strong>

2�?span style="text-wrap: nowrap;">卧式-视觉测量系统

芯片国产久久为功� 创新之路道阻且长� 晶圆母片（硅片）只是这慢慢长路的第一道关 。本产品可测可测�?寸�?寸晶圆Notch、Edge、晶圆厚度、晶圆直径、Flat长度、Bevel宽度、�/p>

3�?span style="text-wrap: nowrap;">AC电机综合测试�?/span>

项目主体需求：

待测物为 AC 电机，需要测� AC 电机的各项参数，� F0，F0点加速度，电流，定频振动量，上升时间，下降时间，定频阻尼，定频噪声，瞬态参数，以及杂音有无等、�/span>

产品功能说明９�/strong>

1. 配置文件的打开与保字�/p>

2. 加速度校准

3. 电压校准

4. 扫频测试

5. 定频测试

6. 噪声测试

7. 瞬态测诔�/p>

8. 上下限的设置，测量结果的标定与补偾�/p>

9. 测量结果的显示与记录

10.样件点检（并记录（�/p>

11.产品可扫�?/p>

12.不良品盒联动

会议主题９�/strong>

1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望

2、大尺寸�? 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径

3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺

4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展

5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创�?#8203;

6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能

7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对�?#8203;

8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控刵�/strong>

9、高平整� SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升

10�? 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型

11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应�?#8203;

12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控�?#8203;

13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标

14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析

15、立� SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控

16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技�?#8203;

17、SiC 晶体生长 “黑匣子� 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开�?#8203;

18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模弎�/strong>

报名送产业研究报告（限前50名）

会务练�/strong>

联系人：段经琅�/strong>

电话�?3810445572

邮箱：duanwanwan@cnpowder.com

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