产品介绍

利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需汁�/p>

主要指标

晶型�?H/6H-P垊�/p>

尺寸�?9.5~100 mm 145.5-150.0mm

厚度�?50±25 μm

微管密度：＜0.1 cm-2

电阻率：0.06~0.11 Ω∙cm

表面粗糙度：Ra<0.2nm