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8英寸导电型碳化硅衬底
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杭州华创晶瑞科技有限公司
浙江
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华创晶瑞
8英寸导电型碳化硅衬底
596
技术优劾/p>
晶体利用率高，成本低 品质达到P-MOS?/p>
采用PVT长晶泔/p>
籽晶粘结成功率接?00%
平均生长速度0.13-0.16mm/h
长晶良率高于行业水平
加工良率达到90%
有效的降低了单片成本、/p>
SiC 晶锭一致性非常优秀
晶片表面粗糙?.075纳米
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8英寸导电型碳化硅衬底
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