4英寸3C N型碳化硅衬底

产品介绍

3C N型SiC具有更高的电子迁移率�?C-SiC�?100 cm2/V∙s�?H-SiC�?00 cm2/V∙s），同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性，能大幅度提高器件产品良率、�br style="margin: 0px; padding: 0px;"/>

主要指标

晶型�?C 尺寸�?0.8±0.38 mm

厚度�?50±25μm 微管密度：＜0.1 cm-2

电阻率≤0.0006 Ω∙cm