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CMP品牌
新创纳电孏/span>产地
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CMP
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芯片抛光涱/strong>
化学机械抛光(CMP)是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，化学机械抛光液又是CMP工艺中的*核心的材料。根据抛光对象不同，新创纳公司开发出对应氧化硅介电材料、钨、多晶硅、GST相变材料、铜及铜阻挡层的抛光液。抛光液?关键的材料由公司自主研发生产，拥有从磨料到配方全工序的调节能力和产品定制化的条件。可为客户提供优质，稳定的服务和供应、/p>
氧化硅抛光液DI-109
TEOS的RR可达?500A/min，并可通过下压力和稀释射频进行调芁300毫米晶圆边缘去除3毫米时，不均匀度小?%、/p>
稀释比:1:4~1:9
金属离含野 Ck5ppm, B<1ppm, Na
多晶硅抛光液Poly-306
CMP后薄膜应能保持在适当位置;无残留金属离子且缺陷极少
指标:稀释比:1:4
金属含量: Na500(pb), Mgs100(ppb), Al100(pb), Ks120(pb), Cas500(pb), Tis100 (pb), Crs100(ppb), Mns100(pb), Fes100(pb). Nis100(pb), Cus100(pb).Zn?00(ppb),Zr?00(ppb),Ag?00(ppb),Pb?00(ppb)
铜抛光液HC-WF001B
中性的高纯胶体二氧化硅:高且可调的铜去除玆高选择比CuTaN.CuTEOS):易清洗，低侵蚀:无腐蚀，缺陷低:优秀的表面光洁度，低Ra:保质期长:环境友好型化学品指标:Cu/TaN和Cu/TEOS选择毓>2000稀释比:4x
铜阻挡层(TaN/Ta)抛光涱/strong>
健性的高纯胶体二氧化硅;高且可调的To/TaN去除玆易洁洗，低侵蚀，不易残留化学品;无腐蚀，缺陷低;优秀的表面光洁度，低Ra:保质期长，抛光液寿命镾环境友好型化学品
TaN/Ta与Cu选择毓>2
稀释比(体积?:1L抛光涱5mL双氧?30%)
金R含量: K3500ppm, Na-25ppm, A1pm, Cuslpm, Mgr1ppm, Crlppm, Mn lppm, Fer1ppm, Nslppm, Znr1pam, Cd1ppm, Sb lpm, Po51pm, Ti51Ppm, Co51.Ca<1重金?除K，Na?总含?lt;2
包装方式
1、包装方弎25KG?50KG
2、保存条仵贮存温度?-40°C
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