www.188betkr.com 讯近日，晶盛机电对外宣布，子公司浙江晶瑞SuperSiC的首条12英寸碳化硅衬底加工中试线已正式通线。这一里程碑事件标志着浙江晶瑞SuperSiC成功构建起从晶体生长、衬底加工到成品检测的全环节设备自主研发体系，为我国碳化硅产业自主化发展再添关键支撑。
作为第三代半导体材料的核心代表，碳化硅衬底凭借其优异的耐高温、耐高压、高频特性，在下游领域应用广泛。其可用于制造功率半导体器件、射频半导体器件，还能应用于光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等产品，覆盖电动汽车、光伏及储能系统、电力电网、轨道交通、通信设备、AI眼镜、智能手机、半导体激光等多个战略性新兴行业，市场潜力巨大。
来源：晶盛机电
在半导体器件生产流程中，碳化硅衬底作为关键基础材料，需历经外延生长、芯片制造、封装测试等多道复杂验证工序，才能最终投入实际应用。相较于当前主流的8英寸碳化硅衬底，12英寸产品在单片晶圆上的芯片产出量可提升约2.5倍。这一优势能在大规模量产过程中，显著摊薄长晶、加工、抛光等环节的单位成本，成为推动下游应用成本大幅下降、加速碳化硅器件普及的关键路径。
深耕半导体材料装备领域多年，晶盛机电已围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大核心半导体材料，开发出一系列关键生产设备，并逐步向化合物衬底材料领域延伸，为全球半导体、光伏行业提供具备核心竞争力的高端装备与高品质服务。作为晶盛机电旗下专注于化合物半导体材料的重要平台，浙江晶瑞SuperSiC长期聚焦碳化硅和蓝宝石抛光片的研发与生产，在技术积累与产业化落地方面成果丰硕。
目前，晶盛机电的碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，同时，公司积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。
在大尺寸碳化硅技术攻关方面，晶盛机电依托自主研发的碳化硅单晶生长炉，结合持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年技术攻坚，创新研发出晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体易开裂等核心技术难题，实现12英寸导电型碳化硅晶体生长的重大技术突破。值得一提的是，得益于晶体生长及加工设备的高度自给能力，晶盛机电实现了设备与工艺的深度融合，为协同创新奠定坚实基础。这一优势不仅让公司在技术工艺调整、产能快速投放及成本精细化控制方面具备显著竞争优势，还能根据碳化硅下游应用领域的探索需求灵活调整生产方案，快速响应行业发展趋势，抢占市场先机。
来源：晶盛机电
此次浙江晶瑞SuperSiC贯通的12英寸碳化硅衬底加工中试线，全面覆盖晶体加工、切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗、检测等全流程工艺。更为关键的是，产线所有环节均采用国产设备与自主研发技术，其中高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心加工设备，均由晶盛机电历经多年自主攻关完成研发，打破了国外设备在高端碳化硅加工领域的垄断。至此，晶盛机电正式形成12英寸碳化硅衬底从核心装备研发到材料生产的完整产业闭环，产业链自主可控能力大幅提升。
晶盛机电称，公司将加速推进12英寸碳化硅衬底产线的量产进程，致力于为全球客户提供高质量、低成本的大尺寸碳化硅衬底产品。同时，公司将持续携手产业链上下游伙伴，深化技术协同与产业合作，共同推动我国第三代半导体产业实现高质量、规模化发展。
来源：晶盛机电官微、晶盛机电半年报
（www.188betkr.com 编辑整理/初末）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除！
